画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
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![]() | MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K | - | ![]() | 6797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | mt29vzzzad8 | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8K | 廃止 | 152 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F4G08ABBDAH4-AITX:d | - | ![]() | 1414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-R:c | 41.9550 | ![]() | 4192 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-R:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT40A1G16RC-062E:B TR | - | ![]() | 5815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (10x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT40A1G16RC-062E:Btr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR | 8.7450 | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25TL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
![]() | MT29F2T08EMHBFJ4-T:b | - | ![]() | 1944年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 1.7V〜1.95V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T:b | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | M29W640GB70ZA3E | - | ![]() | 4243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT29F8T08GULCEM4:c | 156.3000 | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F8T08GULCEM4:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | - | ![]() | 5620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R | - | ![]() | 1556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 死ぬ | MT29F512G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 558 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B TR | 61.3800 | ![]() | 1484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES:BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR | - | ![]() | 3253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR | - | ![]() | 5120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||
MT48H8M16LFB4-8:J TR | - | ![]() | 4562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | TE48F4400P0VB00A | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | 48F4400P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 85 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 85ns | ||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 AIT:b | 114.9600 | ![]() | 4393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023AIT:b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
![]() | MT61K512M32KPA-16:C Tr | 19.4100 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 180-tfbga | sgram -gddr6 | 1.3095V〜1.3905V | 180-FBGA(12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-16:CTR | 2,000 | 8 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | pod_135 | - | ||||||||
![]() | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | - | - | MT29RZ4C4 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit (nand )、4gbit (lpddr2) | フラッシュ、ラム | 256M x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | mt30azzzddddb0tpwl-031 w.19r tr | 108.7200 | ![]() | 6523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT30AZZZDDDDB0TPWL-031W.19RTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | mtfc64gajaedn-5m ait | - | ![]() | 4856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT58V512V36FT-7.5 | 18.7900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | MT46H16M32LFCM-6 TR | - | ![]() | 5128 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | mtfc128gasaqjp-ait tr | 51.9900 | ![]() | 7683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MTFC128GASAQJP-AITTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
N25Q128A13E1241F TR | - | ![]() | 3917 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | MT29F4T08EMLCHD4-M:c | 83.9100 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08EMLCHD4-M:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:e | - | ![]() | 8366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||
![]() | MTC20C2085S1EC48BAZ | 290.8500 | ![]() | 2876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTC20C2085S1EC48BAZ | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53E128M32D2FW-046AIT:A TR | 7.9500 | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AIT:ATR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR | - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR | - | ![]() | 1707 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT53E1G64D4SQ-046WT:ATR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - |
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