SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8FQFSL-046 W.G8K -
RFQ
ECAD 6797 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 mt29vzzzad8 - ROHS3準拠 557-MT29VZZZAD8FQFSL-046W.G8K 廃止 152
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-AITX:d -
RFQ
ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F2T08EELCHD4-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-R:c 41.9550
RFQ
ECAD 4192 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-R:c 1
MT40A1G16RC-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G16RC-062E:B TR -
RFQ
ECAD 5815 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) MT40A1G16RC-062E:Btr ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL256BBA8ESF-0AAT TR 8.7450
RFQ
ECAD 9903 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) MT25TL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F2T08EMHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHBFJ4-T:b -
RFQ
ECAD 1944年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand (TLC) 1.7V〜1.95V 132-VBGA(12x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T:b 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
M29W640GB70ZA3E Micron Technology Inc. M29W640GB70ZA3E -
RFQ
ECAD 4243 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT29F8T08GULCEM4:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4:c 156.3000
RFQ
ECAD 9538 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F8T08GULCEM4:c 1
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR -
RFQ
ECAD 5620 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R -
RFQ
ECAD 1556 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 死ぬ MT29F512G08 フラッシュ-Nand (TLC) 2.5V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 558 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT ES:B TR 61.3800
RFQ
ECAD 1484 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT62F1536M32D4DS-023WTES:BTR 2,000
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR -
RFQ
ECAD 3253 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR -
RFQ
ECAD 5120 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT48H8M16LFB4-8:J TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8:J TR -
RFQ
ECAD 4562 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
TE48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. TE48F4400P0VB00A -
RFQ
ECAD 9238 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) 48F4400P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT62F4G32D8DV-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 AIT:b 114.9600
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023AIT:b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT61K512M32KPA-16:C TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-16:C Tr 19.4100
RFQ
ECAD 9461 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 180-tfbga sgram -gddr6 1.3095V〜1.3905V 180-FBGA(12x14) - 557-MT61K512M32KPA-16:CTR 2,000 8 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 pod_135 -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C -
RFQ
ECAD 1789 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(タタ - - MT29RZ4C4 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit (nand )、4gbit (lpddr2) フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MT30AZZZDDB0TPWL-031 W.19R TR Micron Technology Inc. mt30azzzddddb0tpwl-031 w.19r tr 108.7200
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT30AZZZDDDDB0TPWL-031W.19RTR 2,000
MTFC64GAJAEDN-5M AIT Micron Technology Inc. mtfc64gajaedn-5m ait -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT58V512V36FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V36FT-7.5 18.7900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
MT46H16M32LFCM-6 TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6 TR -
RFQ
ECAD 5128 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MTFC128GASAQJP-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaqjp-ait tr 51.9900
RFQ
ECAD 7683 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 557-MTFC128GASAQJP-AITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
N25Q128A13E1241F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E1241F TR -
RFQ
ECAD 3917 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F4T08EMLCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-M:c 83.9100
RFQ
ECAD 9550 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MT29F4T08EMLCHD4-M:c 1
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:e -
RFQ
ECAD 8366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MTC20C2085S1EC48BAZ Micron Technology Inc. MTC20C2085S1EC48BAZ 290.8500
RFQ
ECAD 2876 0.00000000 Micron Technology Inc. - アクティブ - 557-MTC20C2085S1EC48BAZ 1
MT53E128M32D2FW-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046AIT:A TR 7.9500
RFQ
ECAD 4748 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT53E128M32D2FW-046AIT:ATR 2,000
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR -
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 WT:A TR -
RFQ
ECAD 1707 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT53E1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT53E1G64D4SQ-046WT:ATR 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫