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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT41K512M8RH-107 IT:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107 IT：e -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT28F800B5SG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 1319 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MT55L256L18P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT55L256L18P1T-7.5 4.2800
RFQ
 ECAD 392 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4mbit 4.2 ns sram 256k x 18 平行 -
MT48LC32M8A2P-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-75：D TR -
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT28F400B3WG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 b -
RFQ
 ECAD 1077 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
EDW2032BBBG-50-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-50-FR TR 6.4741
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA EDW2032 sgram -gddr5 1.31V〜1.65V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 2,000 1.25 GHz 揮発性 2Gbit ラム 64m x 32 平行 - 確認されていません
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001 Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-6：B.001 -
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 ECAD 8258 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
M29W400DB70N1 Micron Technology Inc. M29W400DB70N1 -
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 ECAD 2451 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MTFC4GMDEA-1M WT Micron Technology Inc. mtfc4gmdea-1m wt -
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 ECAD 3094 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8523.51.0000 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 AIT：c -
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 ECAD 7731 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,782 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR 4.7300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT49H16M18FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 TR -
RFQ
 ECAD 1011 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MTFC2GMVEA-L1 WT Micron Technology Inc. mtfc2gmvea-l1 wt -
RFQ
 ECAD 6683 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc2g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 MMC -
MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-5M：B TR -
RFQ
 ECAD 6600 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 M AIT：P Tr -
RFQ
 ECAD 5465 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
JS28F128M29EWLA Micron Technology Inc. JS28F128M29EWLA -
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F128M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT25QU128ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-1SIT -
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F64G08AJABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP：B Tr -
RFQ
 ECAD 3131 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT35XU512ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0AUT 15.8400
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT53E768M64D4SP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SP-046 WT：b 27.9300
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E768M64D4SP-046WT：b 1,360
MT54V512H18EF-6C Micron Technology Inc. MT54V512H18EF-6C 24.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. QDR™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA sram-同期 2.4V〜2.6V 165-FBGA ダウンロード 適用できない 4 （72 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 9mbit 2.5 ns sram 512K x 18 HSTL -
MT60B4G4HB-56B:G Micron Technology Inc. MT60B4G4HB-56B：g 23.8200
RFQ
 ECAD 4931 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT60B4G4HB-56B：g 1
MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10ITZ：C Tr -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6R：b -
RFQ
 ECAD 4490 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
M29W256GH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZA6E -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W256GH70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT46H32M32LFCM-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCM-6：TR -
RFQ
 ECAD 6084 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT：A TR -
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT62F4G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT：b 99.5250
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023IT：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc. MT47H256M4BT-37E：a -
RFQ
 ECAD 7487 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H256M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 267 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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