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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 3.5200
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AUT：b 20.3700
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT：b 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3それ：h -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT40A512M16LY-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AUT：e 11.6400
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M16LY-062EAUT：e ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES：c 48.1050
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MT29F2G16ABBGAH4-AIT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AIT：G TR 2.4998
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G16ABBGAH4-AIT：GTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT47H128M16RT-187E:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-187E：c -
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 350 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT62F4G32D8DV-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT ES：B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WTES：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87J TR 9.9000
RFQ
 ECAD 6965 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ5A5BPGGA-046AIT.87JTR 2,000 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT29F8T08GULCEM4-M:C Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-M：c 156.3000
RFQ
 ECAD 1311 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08GULCEM4-M：c 1
MT53E1G64D4NZ-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-046 WT ES：C TR 42.4500
RFQ
 ECAD 7295 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 376-WFBGA（14x14） - 557-MT53E1G64D4NZ-046WTES：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit 3.5 ns ドラム 1g x 64 平行 18ns
MT25QU256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8ESF-0AAT -
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QU256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
JS28F512P33EF0 Micron Technology Inc. JS28F512P33EF0 -
RFQ
 ECAD 7439 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F512p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 40 MHz 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 105ns
MT58L64L32DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L32DT-10 4.8600
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 2mbit 5 ns sram 64k x 32 平行 -
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3T：a -
RFQ
 ECAD 6292 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT41K2G4RKB-107 C:N TR Micron Technology Inc. MT41K2G4RKB-107 C：N TR -
RFQ
 ECAD 9696 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K2G4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MT41K2G4RKB-107C：NTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT62F1536M64D8EK-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AIT：B TR 86.2050
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F1536M64D8EK-026AIT：BTR 1,500 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 - -
MTFC8GAMALBH-IT Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-it 12.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. * トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC8GAMALBH-IT 3A991B1A 8542.32.0071 1,520
MT44K64M18RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-093E：TR 80.5650
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 1.125Gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT47H64M8B6-5E IT:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-5E IT：D TR -
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 600 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
MTFC32GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gazaotd-aat 27.3450
RFQ
 ECAD 6598 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC32GAZAOTD-AAT 1
MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP-Z：C TR -
RFQ
 ECAD 4073 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 20.2200
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 149-VFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-VFBGA （8x9.5） - 557-MT29GZ6A6BPIET-046AAT.112 1 2.133 GHz 不揮発性、揮発性 8GBIT （NAND ）、8GBIT （LPDDR4） 25 ns フラッシュ、ラム 1g x 8 onfi 20NS、30ns
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCBBH2-10：b -
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046AAT：e -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 200-TFBGA MT53E384 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 影響を受けていない 557-MT53E384M32D2FW-046AAT：e 廃止 1 1.066 GHz 揮発性 12gbit 3.5 ns ドラム 384m x 32 平行 18ns
MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0SIT TR 18.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 166 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29DW323DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT29F1T08EELKEJ4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EELKEJ4-ITF：K Tr 36.9000
RFQ
 ECAD 5122 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EELKEJ4-ITF：KTR 2,000
MT62F1G32D4DS-031 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AIT：b 29.6100
RFQ
 ECAD 7505 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031AIT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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