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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F16G08AJADAWP-IT:D Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP-IT：d -
RFQ
 ECAD 6518 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT53E2G64D8TN-046 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G64D8TN-046 AUT：C TR 138.4950
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 556-LFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-LFBGA（12.4x12.4 ダウンロード 557-MT53E2G64D8TN-046AUT：CTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 128GBIT 3.5 ns ドラム 2g x 64 平行 18ns
MT29F128G08AJAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-Z：a -
RFQ
 ECAD 3818 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT53D512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
M29DW323DT70N6E Micron Technology Inc. M29DW323DT70N6E -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW323 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29DW323DT70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MTFC64GJDDN-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-4m it tr -
RFQ
 ECAD 3484 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 MMC -
MT53E768M32D4DE-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 AIT：e 26.6100
RFQ
 ECAD 9587 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ ダウンロード 557-MT53E768M32D4DE-046AIT：e 1
MT42L256M64D4LD-18 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4LD-18 WT：TR -
RFQ
 ECAD 7524 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 220-VFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 220-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
N25Q256A83ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A83ESF40G -
RFQ
 ECAD 4410 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AAT：c 40.2450
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - ROHS3準拠 557-MT53E1536M32D4DE-046AAT：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 1.5GX 32 平行 18ns
MT29F512G08EBHBFJ4-T:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EBHBFJ4-T：b -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F512G08EBHBFJ4-T：b 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12ITZ：a -
RFQ
 ECAD 2712 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
EDFB232A1MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFB232A1MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 9854 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFB232 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 933 MHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MT29F2T08EELCHD4-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EELCHD4-QJ：c 41.9550
RFQ
 ECAD 4002 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08EELCHD4-QJ：c 1
MT62F512M64D4BG-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F512M64D4BG-031 WT：B TR 23.5200
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F512M64D4BG-031WT：BTR 2,500 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MTFC128GASAQEA-WT Micron Technology Inc. mtfc128gasaqea-wt -
RFQ
 ECAD 2735 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ - 557-MTFC128GASAQEA-WT 1
MTFC4GLGDQ-AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc4glgdq-ait z tr -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT29F64G08AKABAC5-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AKABAC5-IT：b -
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
JS28F640P33BF70A Micron Technology Inc. JS28F640P33BF70A -
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT53B128M32D1NP-062 WT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 WT：a -
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT42L16M32D1HE-18 IT:E TR Micron Technology Inc. MT42L16M32D1HE-18 IT：E TR 5.5200
RFQ
 ECAD 9026 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT42L16M32D1HE-18IT：ETR 2,500
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAH4-ITX：e -
RFQ
 ECAD 4334 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 3.5200
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT29F4T08EMLCHD4-R:C Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-R：c 83.9100
RFQ
 ECAD 9469 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F4T08EMLCHD4-R：c 1
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 AUT：b 20.3700
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E512M32D1ZW-046AUT：b 1 2.133 GHz 揮発性 16gbit 3.5 ns ドラム 512m x 32 平行 18ns
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3それ：h -
RFQ
 ECAD 7517 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 4794 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT40A512M16LY-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E AUT：e 11.6400
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A512M16LY-062EAUT：e ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AAT：E TR 11.6700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053AAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES：c 48.1050
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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