画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT28F320J3RG-11 MET TR | - | ![]() | 1256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F320J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR | - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | N25Q128A11BF840F TR | - | ![]() | 3977 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | EDF8132A3MA-JD-FD | - | ![]() | 3764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDF8132 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,890 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR | - | ![]() | 9804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29F6T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | 不揮発性 | 6tbit | フラッシュ | 768g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | EDFA112A2PF-GD-FR TR | - | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDFA112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 128m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | MT55L256L18F1F-10 | 4.4800 | ![]() | 264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
![]() | M28W640HCT70ZB6F TR | - | ![]() | 8978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ(CT) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA (6.39x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT58L512Y32DT-10 | 18.9400 | ![]() | 815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 18mbit | 5 ns | sram | 512K x 32 | 平行 | - | |||
![]() | RC28F256J3D95B TR | - | ![]() | 1637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
![]() | mt53d4dbsb-dc | - | ![]() | 9441 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | M29W800DB90N1 | - | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | MT29F2G080808ABAFAH4-S:F | - | ![]() | 1767 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | PC28F640P30TF65A | - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 65 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 65ns | ||
MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR | 17.8200 | ![]() | 4779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | 557-MT53E256M32D2FW-046AUT:BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 32 | 平行 | 18ns | ||||||||
![]() | EDFP164A3PD-GD-FR TR | - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | - | EDFP164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | MT41K512M4HX-15E:d | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 4 | 平行 | - | ||
N25Q512A11G1240E | - | ![]() | 9288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q512A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
![]() | MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR | - | ![]() | 7022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29F3T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 3tbit | フラッシュ | 384g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F2G08ABBEAH4:e | - | ![]() | 1983年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
MT29F8G08888ABACAWP-IT:c | - | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:TR | 139.8150 | ![]() | 4057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
MT40A4G4NRE-083E C:b | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT40A4G4NRE-083EC:b | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,140 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | ||||
![]() | EDFB164A1MA-GD-FR TR | - | ![]() | 1016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | EDFB164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | |||||||
![]() | MT58L128V36P1T-7.5 | 7.0900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4mbit | 4 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-7:G Tr | - | ![]() | 1393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 14ns | ||
![]() | PF58F0033M0Y1BFA | - | ![]() | 1078 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | PF58F0033M0 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 290 | |||||||||||||||||
![]() | MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR | - | ![]() | 6693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | ||||
![]() | M29W800DT45N6E | - | ![]() | 6584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 576 | 不揮発性 | 8mbit | 45 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 45ns | |||
MT46V32M16CY-5B AAT:J TR | - | ![]() | 9850 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns |
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