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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT28F320J3RG-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 MET TR -
RFQ
ECAD 1256 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-IT:D TR -
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
N25Q128A11BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11BF840F TR -
RFQ
ECAD 3977 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
EDF8132A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-FD -
RFQ
ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,890 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR -
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) - - MT29F6T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 6tbit フラッシュ 768g x 8 平行 -
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 2313 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT55L256L18F1F-10 Micron Technology Inc. MT55L256L18F1F-10 4.4800
RFQ
ECAD 264 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-TBGA SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 256k x 18 平行 -
M28W640HCT70ZB6F TR Micron Technology Inc. M28W640HCT70ZB6F TR -
RFQ
ECAD 8978 0.00000000 Micron Technology Inc. - カットテープ(CT) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA (6.39x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT58L512Y32DT-10 Micron Technology Inc. MT58L512Y32DT-10 18.9400
RFQ
ECAD 815 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 5 ns sram 512K x 32 平行 -
RC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. RC28F256J3D95B TR -
RFQ
ECAD 1637 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
MT53D4DBSB-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbsb-dc -
RFQ
ECAD 9441 0.00000000 Micron Technology Inc. - sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
M29W800DB90N1 Micron Technology Inc. M29W800DB90N1 -
RFQ
ECAD 9129 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT29F2G08ABAFAH4-S:F Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAFAH4-S:F -
RFQ
ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
PC28F640P30TF65A Micron Technology Inc. PC28F640P30TF65A -
RFQ
ECAD 6457 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 64mbit 65 ns フラッシュ 4m x 16 平行 65ns
MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046 AUT:B TR 17.8200
RFQ
ECAD 4779 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 前回購入します -40°C〜125°C 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) ダウンロード 557-MT53E256M32D2FW-046AUT:BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 平行 18ns
EDFP164A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 2233 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C(TA) 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT41K512M4HX-15E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-15E:d -
RFQ
ECAD 5943 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 512m x 4 平行 -
N25Q512A11G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A11G1240E -
RFQ
ECAD 9288 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR -
RFQ
ECAD 7022 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) - - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
MT29F2G08ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4:e -
RFQ
ECAD 1983年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F8G08ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G08888ABACAWP-IT:c -
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:TR 139.8150
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT40A4G4NRE-083E C:B Micron Technology Inc. MT40A4G4NRE-083E C:b -
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (8x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) MT40A4G4NRE-083EC:b 廃止 0000.00.0000 1,140 1.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 4g x 4 平行 -
EDFB164A1MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C(TA) EDFB164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
MT58L128V36P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1T-7.5 7.0900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP(14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 128k x 36 平行 -
MT48LC2M32B2P-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-7:G Tr -
RFQ
ECAD 1393 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2(1 年) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
PF58F0033M0Y1BFA Micron Technology Inc. PF58F0033M0Y1BFA -
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ECAD 1078 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 PF58F0033M0 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 290
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR -
RFQ
ECAD 6693 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
M29W800DT45N6E Micron Technology Inc. M29W800DT45N6E -
RFQ
ECAD 6584 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 576 不揮発性 8mbit 45 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 45ns
MT46V32M16CY-5B AAT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B AAT:J TR -
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ECAD 9850 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫