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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT58L1MY18FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L1MY18FT-8.5 21.0700
RFQ
 ECAD 964 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 8.5 ns sram 1m x 18 平行 -
MT46V32M16TG-75:C Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75：c -
RFQ
 ECAD 4191 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
M25PX16-VMP6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMP6G -
RFQ
 ECAD 6352 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
MTFC16GLWDM-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16glwdm-4m ait z tr -
RFQ
 ECAD 9577 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT40A1G8WE-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E：B Tr -
RFQ
 ECAD 2880 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT29F16G08DAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP：TR -
RFQ
 ECAD 3187 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U Micron Technology Inc. MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U 12.3900
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ mt29az5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29AZ5A5CHGSQ-18IT.87U 1,440
MT28F800B5WG-8 B Micron Technology Inc. MT28F800B5WG-8 b -
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F800B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 80 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 80ns
MT53D1536M32D4NQ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D1536M32D4NQ-046 WT：A TR 27.9300
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53D1536M32D4NQ-046WT：ATR 2,000
MT58L128V36F1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128V36F1T-10 8.6700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 66 MHz 揮発性 4mbit 10 ns sram 128k x 36 平行 -
MT41K128M16JT-107:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107：K Tr -
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 3314 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT42L128M64D4LD-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LD-3それ：a -
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 220-VFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 220-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT41K128M8DA-107:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107：J 5.0100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
PC28F00AM29EWLE Micron Technology Inc. PC28F00AM29EWLE -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F00A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 100ns
MT25QU128ABA1EW7-MSIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1EW7-MSIT -
RFQ
 ECAD 5965 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F64G08CBAAAL74A3WC1P -
RFQ
 ECAD 2550 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT41J512M4JE-15E:A Micron Technology Inc. MT41J512M4JE-15E：a -
RFQ
 ECAD 7993 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 82-FBGA MT41J512M4 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 82-FBGA（12.5x15.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 512m x 4 平行 -
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAWP-ITX：d -
RFQ
 ECAD 4355 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MTFC64GANALAM-WT ES Micron Technology Inc. mtfc64ganalam-wt es -
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - mtfc64 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT48LC64M4A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2P-7E：g -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M4A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 64m x 4 平行 14ns
N25Q256A73ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A73ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 1312 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A73 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT25TL512HBA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8ESF-0AAT 10.3950
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46V32M16BN-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
N25Q128A23BSF40G Micron Technology Inc. N25Q128A23BSF40G -
RFQ
 ECAD 1530 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q128A23 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT46V32M8P-5B IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 9894 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT28F320J3RG-11 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 GMET TR -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEHGBJ4-3R：G TR -
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT40A8G4NEA-062E:F Micron Technology Inc. MT40A8G4NEA-062E：F 52.5000
RFQ
 ECAD 7976 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ 箱 アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - 557-MT40A8G4NEA-062E：F 1 1.6 GHz 揮発性 32gbit 13.75 ns ドラム 8g x 4 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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