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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8ESF-0AAT TR 4.7300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT41K512M8RH-107 IT:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107 IT：e -
RFQ
 ECAD 2863 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
RC28F640P33BF60A Micron Technology Inc. RC28F640P33BF60A -
RFQ
 ECAD 1139 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC28F640 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 4m x 16 平行 60ns
M29W256GH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W256GH70ZA6E -
RFQ
 ECAD 3205 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W256GH70ZA6E 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
M29DW256G7ANF6F TR Micron Technology Inc. M29DW256G7ANF6F TR -
RFQ
 ECAD 1189 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29DW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,200 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 16m x 16 平行 70ns
MT29F1T08GBLCEJ4-M:C Micron Technology Inc. MT29F1T08GBLCEJ4-M：c 19.5450
RFQ
 ECAD 8247 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08GBLCEJ4-M：c 1
MT41K256M16HA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 M：E TR -
RFQ
 ECAD 4598 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 256m x 16 平行 -
MT62F4G32D8DV-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 IT：b 99.5250
RFQ
 ECAD 5404 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023IT：b 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 4g x 32 平行 -
M29W256GSH70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GSH70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT46V32M16FN-6 IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT：F -
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-IT：g -
RFQ
 ECAD 5392 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT53D4DBNW-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbnw-dc -
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 178-VFBGA MT52L512 SDRAM- lpddr3 1.2V 178-FBGA （11.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1067 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT：ES B TR -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT48LC4M32B2B5-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6：G TR -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
PC28F320J3D75D TR Micron Technology Inc. PC28F320J3D75D TR -
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
PC28F256P30TFA Micron Technology Inc. PC28F256P30TFA -
RFQ
 ECAD 7802 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT48LC16M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E：G TR -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT53D8D1ASQ-DC TR Micron Technology Inc. mt53d8d1asq-dc tr -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
MT49H16M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-33：b -
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
M25P20-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、5ms
MT29F16G08CBACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
M25P10-AVMP6T TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6T TR -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、5ms
MT25QU256ABA8E12-1SIT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-1SIT 6.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT25QU128ABA8E14-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT47H32M16HW-25E IT:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HW-25E IT：g -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCBBH1-12AIT：B TR 28.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
PF48F4000P0ZTQEJ Micron Technology Inc. PF48F4000P0ZTQEJ -
RFQ
 ECAD 1494 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-VFBGA 、CSPBGA 48F4000P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,056 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT41K512M8RG-107:N Micron Technology Inc. MT41K512M8RG-107：n -
RFQ
 ECAD 3427 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （7.5x10.6 - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3RES：B TR -
RFQ
 ECAD 7836 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F2T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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