- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン人
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29W640GB6AZA6E | - |  | 1952年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT29F1T08CLHBBG1-3R：B TR | - | | 3899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 272-VFBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 272-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F1T08CLHBBG1-3R：BTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | |||
 | MTFC32GJDED-4Mそれ | - | | 4291 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 169-VFBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT41K512M8RH-125 AIT：e | - | | 7733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT53D512M64D4NZ-053 WT：d | - | | 5383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT29F128G08CBCCBH6-6R：C TR | - | | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F128G08CBCCBH6-6R：CTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT46V16M16CY-5B：K Tr | - | | 3223 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT41J256M8DA-125：K Tr | - | | 6280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT49H64M9SJ-25E：B Tr | - | | 4656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H64M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
 | MT46H16M16LFBF-5：H TR | - | | 4339 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H16M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA （8x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F64G08CFACAWP：C Tr | 14.1700 | | 48 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | EDBA232B2PF-1D-FR TR | - | | 3498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-TFBGA | EDBA232 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 | - | | 7248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT47H64M16NF-25E：M Tr | 3.4165 | | 6447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT47H64M16NF-25E：MTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | MT47H64M16HR-25E：h | - | | 9366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT29F2G16ABAEAWP-AIT：E TR | 4.6600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT40A512M16JY-083EAAT：b | - | | 8819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,280 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT：b | - | | 1497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
| MT47H128M16RT-25E XIT：c | - | | 5760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （9x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1,260 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D384M32D2DS-053 AAT：c | - | | 9074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT29F64G08CBCGBSX-37BES：g | - | | 6161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 267 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||
 | PC28F00AP30EF0 | - | | 6374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F00A | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| MT41J512M8THD-15E：d | - | | 5663 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J512M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| EDBA232B2PD-1D-FD | - | | 5322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDBA232 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gapalna-ait es tr | - | | 9444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mtfc64 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| M29F400FT55N3E2 | - | | 9787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | |||
| M36L0R7050U3ZSE | - | | 1069 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36L0R7050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,304 | |||||||||||||||||
 | MT29F512G08CUCABH3-10：a | - | | 8398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M29W800DB70ZE6E | - | | 5618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W800 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT46H128M32L2MC-5 WT：B TR | - | | 5219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 240-WFBGA | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 240-WFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）