画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT40A1G16HBA-083E:a | - | ![]() | 9455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA (9.5x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,020 | 1.2 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | |||
NAND02GR3B2DZA6E | - | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-TFBGA | NAND02G | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9.5x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -NAND02GR3B2DZA6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | 45 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 45ns | |||
![]() | RC28F128J3F75F | - | ![]() | 6114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 128mbit | 75 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 75ns | ||||
![]() | M29DW640F70ZE6E | - | ![]() | 1002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29DW640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT46V16M16P-5B:M Tr | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR | - | ![]() | 9171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 240-WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 240-FBGA(14x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc16gakaecn-4m it | - | ![]() | 4694 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | mt49h8m36bm-ti:b tr | - | ![]() | 7219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H8M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 揮発性 | 288mbit | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | ||||
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR | - | ![]() | 1077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||||
![]() | M25PX16-VMN6TP TR | - | ![]() | 9813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25PX16 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | M25P10-V6D11 | - | ![]() | 5924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | - | - | M25P10 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 50 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | - | ||||
![]() | MT53D384M64D4NY-046 XT:d | - | ![]() | 8976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | N25Q064A13E14D1F TR | - | ![]() | 4910 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
![]() | MT42L32M16D1AB-3 WT:a | - | ![]() | 7757 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 121-WFBGA | MT42L32M16 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 121-FBGA (6.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||||
MT47R256M4CF-25E:h | - | ![]() | 3826 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47R256M4 | SDRAM -DDR2 | 1.55V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR | - | ![]() | 5390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 253-TFBGA | MT42L256M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 253-FBGA (11x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR | - | ![]() | 5449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53B2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||
![]() | MT46V32M16TG-5B IT:J TR | - | ![]() | 8194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | EDFA164A2PP-GD-FR | - | ![]() | 8394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 220-FBGA | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||||
![]() | M25P05-AVMP6TG TR | - | ![]() | 9557 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P05-A | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
MT40A1G8WE-075E IT:B TR | - | ![]() | 6357 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA (8x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
MT47H64M16HR-3 L:g | - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | EDFP112A3PB-GDTJ-FR TR | - | ![]() | 5617 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | M25PE16-VMP6G | - | ![]() | 3164 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PE16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
![]() | EDFA112A2PD-GD-FR TR | - | ![]() | 5454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | - | - | EDFA112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 128m x 128 | 平行 | - | ||||
![]() | MT53D4DAWT-DC | - | ![]() | 8084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | - | mt53d4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
![]() | MT49H16M18CSJ-25:b | - | ![]() | 4440 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA(18.5x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | EDFP264A2PB-JD-FR TR | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFP264 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | 平行 | - | ||||
![]() | MT48LC32M8A2P-6A:g | - | ![]() | 2194 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 12ns | ||
![]() | TE28F256J3D95A | - | ![]() | 1797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | 28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns |
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