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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A1G16HBA-083E:A Micron Technology Inc. MT40A1G16HBA-083E:a -
RFQ
ECAD 9455 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (9.5x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 16gbit ドラム 1g x 16 平行 -
NAND02GR3B2DZA6E Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DZA6E -
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-TFBGA NAND02G フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9.5x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない -NAND02GR3B2DZA6E 3A991B1A 8542.32.0051 1,260 不揮発性 2Gbit 45 ns フラッシュ 256m x 8 平行 45ns
RC28F128J3F75F Micron Technology Inc. RC28F128J3F75F -
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ECAD 6114 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 144 不揮発性 128mbit 75 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 75ns
M29DW640F70ZE6E Micron Technology Inc. M29DW640F70ZE6E -
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ECAD 1002 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA M29DW640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
MT46V16M16P-5B:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B:M Tr -
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ECAD 9973 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MC-25 WT:A TR -
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ECAD 9171 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 240-WFBGA MT42L128M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 240-FBGA(14x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MTFC16GAKAECN-4M IT Micron Technology Inc. mtfc16gakaecn-4m it -
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ECAD 4694 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.9V 153-VFBGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT49H8M36BM-TI:B TR Micron Technology Inc. mt49h8m36bm-ti:b tr -
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ECAD 7219 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 揮発性 288mbit ドラム 8m x 36 平行 -
MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT TR -
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ECAD 1077 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga MT35XL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
M25PX16-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMN6TP TR -
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ECAD 9813 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
M25P10-V6D11 Micron Technology Inc. M25P10-V6D11 -
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ECAD 5924 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C(タタ - - M25P10 フラッシュ - 2.3V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1 50 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi -
MT53D384M64D4NY-046 XT:D Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NY-046 XT:d -
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ECAD 8976 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
N25Q064A13E14D1F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E14D1F TR -
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ECAD 4910 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT42L32M16D1AB-3 WT:A Micron Technology Inc. MT42L32M16D1AB-3 WT:a -
RFQ
ECAD 7757 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 121-WFBGA MT42L32M16 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 121-FBGA (6.5x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 -
MT47R256M4CF-25E:H Micron Technology Inc. MT47R256M4CF-25E:h -
RFQ
ECAD 3826 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 60-TFBGA MT47R256M4 SDRAM -DDR2 1.55V〜1.9V 60-fbga (8x10) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L256M64D4EV-25 WT:A TR -
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 253-TFBGA MT42L256M64 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 253-FBGA (11x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR -
RFQ
ECAD 5449 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) MT53B2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT46V32M16TG-5B IT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-5B IT:J TR -
RFQ
ECAD 8194 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) ear99 8542.32.0024 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
EDFA164A2PP-GD-F-R Micron Technology Inc. EDFA164A2PP-GD-FR -
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ECAD 8394 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 220-FBGA - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
M25P05-AVMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6TG TR -
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ECAD 9557 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P05-A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 15ms、5ms
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT:B TR -
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ECAD 6357 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (8x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L:g -
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ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GDTJ-FR TR -
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ECAD 5617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
M25PE16-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMP6G -
RFQ
ECAD 3164 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、3ms
EDFA112A2PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FR TR -
RFQ
ECAD 5454 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C (TC) - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT53D4DAWT-DC Micron Technology Inc. MT53D4DAWT-DC -
RFQ
ECAD 8084 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT49H16M18CSJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CSJ-25:b -
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA(18.5x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
EDFP264A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FR TR -
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜85°C(TA) - - EDFP264 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT48LC32M8A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A:g -
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ECAD 2194 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
TE28F256J3D95A Micron Technology Inc. TE28F256J3D95A -
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ECAD 1797 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) 28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2(1 年) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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