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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48H16M32L2B5-10 TR | - |  | 5461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 512mbit | 7.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
 | EDW4032BABG-50-FD | - | | 3630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 170-TFBGA | EDW4032 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.65V | 170-FBGA（12x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,440 | 1.25 GHz | 揮発性 | 4gbit | ラム | 128m x 32 | 平行 | - | |||
 | MT40A1G8WE-075E：b | - | | 9783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （8x12） | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,140 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT46V16M16P-5B AIT：M | - | | 2419 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| M58LR256KB70ZQ5W TR | - | | 4040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 88-TFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | PZ28F064M29EWBX | - | | 5814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | PZ28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
| MT62F2G32D8DR-031 WT：b | 47.0400 | | 9772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F2G32D8DR-031WT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
 | mtfc64gapalbh-aat | - | | 9015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F4G08ABBFAH4-IT：F TR | 3.0165 | | 3678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G08ABBFAH4-IT：FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | JS28F256P33TFA | - | | 6848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 105 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 105ns | ||
| MT29F8G08ADBDAH4：d | - | | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT：D TR | - | | 2716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT：DTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT62F2G32D4DS-026 WT：b | 45.6900 | | 3633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F2G08ABBEAH4-AITX：E TR | 3.7059 | | 5390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46V32M4P-5B：D Tr | - | | 8489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D384M64D4FL-046 XT：E TR | - | | 4567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||||||
 | MT48LC64M4A2P-7E：D TR | - | | 1067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 14ns | ||
| MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES | - | | 4051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | N25Q512A83GSF40F TR | - | | 8419 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A83 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT40A4G4HPR-075H：g | - | | 8041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | - | - | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 4g x 4 | 平行 | - | ||||
| JS28F00AP30BFA | - | | 4948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F00AP30 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | 110ns | ||
| MT48LC16M16A2P-7E：g | - | | 7094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,080 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 14ns | ||
 | MT49H64M9SJ-25E：b | - | | 3836 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H64M9 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,120 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
| M29W128GL70ZA3E | - | | 5860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F64G8CBCBBH1-1：B TR | - | | 8593 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G8 | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||
 | MT29F16G08CBACAWP：c | - | | 9975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
| M28W640HCT70ZB6E | - | | 5152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA （6.39x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 160 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
| MT29E1T08CPCBH8-6：B TR | - | | 8340 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29E1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V | - | | 5105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||||
| MT46V32M8TG-6T L：G TR | - | | 3940 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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