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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES：C TR 48.1050
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES：CTR 2,000
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga MT35XL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX：e 3.7059
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1T208ECCBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBL04A3WC1 12.3500
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 死ぬ - 1 （無制限） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
RC28F160C3BD70A Micron Technology Inc. RC28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F160 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 144 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
MT61M256M32JE-10 AAT:A Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 AAT：a -
RFQ
 ECAD 6178 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 180-tfbga MT61M256 sgram -gddr6 1.21V〜1.29V 180-FBGA（12x14） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,260 1.25 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT46V32M16BN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B：c -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 4424 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29F400FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
EDB8164B4PT-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT61K512M32KPA-14:B TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14：B TR -
RFQ
 ECAD 4897 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT61K512M32KPA-14：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 7 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
M29W128GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6E -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
M25P16-V6D11 Micron Technology Inc. M25P16-V6D11 -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -
PC28F256P30T85A Micron Technology Inc. PC28F256P30T85A -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AT：C TR -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F128G08CEHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEHGBJ4-3R：G TR -
RFQ
 ECAD 1352 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT46V32M16P-5B:F Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B：F -
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC8M32B2P-7 TR Micron Technology Inc. mt48lc8m32b2p-7 tr -
RFQ
 ECAD 2532 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 143 MHz 揮発性 256mbit 6 ns ドラム 8m x 32 平行 14ns
M29W256GSH70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GSH70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 70 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 70ns
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4KA-046 XT：ES B TR -
RFQ
 ECAD 1681 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT25QU128ABA8E14-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E14-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC4M32B2B5-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6：G TR -
RFQ
 ECAD 7340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.5 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
N25Q128A11E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11E1240F TR -
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT28F320J3RG-11 GMET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3RG-11 GMET TR -
RFQ
 ECAD 4918 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT46V32M16BN-75:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-75：C Tr -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC16M16A2P-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E：G TR -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード 3 （168 時間） ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT40A2G4SA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E：R Tr 10.1850
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A2G4SA-062E：RTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT53D4DBNW-DC Micron Technology Inc. mt53d4dbnw-dc -
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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