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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M32D2DS-053 WT ES：D | - |  | 3219 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT53E1G32D2NP-053 RS WT：a | - | | 6704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：a | 廃止 | 1,360 | ||||||||||||||||||
| M58BW32FB4T3T TR | - | | 9926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 80-BQFP | M58BW32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 500 | 不揮発性 | 32mbit | 45 ns | フラッシュ | 1M x 32 | 平行 | 45ns | |||
| MT53B256M64D2TG-062 XT ES：C | - | | 6566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 960 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||
| MT52L512M16D1PF-093 WT ES：B TR | - | | 6737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT52L512 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1067 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | - | - | |||
| MT53D768M64D8JS-053 WT ES：D | - | | 1543 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-VFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-VFBGA（12x12.7） | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||
| MT48H32M16LFBF-6：b | - | | 2072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA （6x9） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT41K256M16HA-107 IT：e | - | | 2084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT40A1G8SA-062E AIT：e | 9.2250 | | 3769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT40A1G8SA-062EAIT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |
| mtfc4gacaaea-wt | - | | 1327 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT47H128M8CF-25：H TR | - | | 8454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | mt28f004b5vg-8 t | - | | 4040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F004B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 80ns | |||
 | MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：b | 8.1600 | | 2109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF：b | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | mtfc8glwdq-3m ait z | - | | 9370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT48H16M32LFCM-6 IT：B TR | - | | 4506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT62F4G32D8DV-026 WT ES：b | 90.4650 | | 9094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026WTES：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT41K128M16HA-15E IT：d | - | | 4589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.5 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT29F16G08AJADAWP-IT：D TR | - | | 7400 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC32M8A2FB-75 L：D TR | - | | 3586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-FBGA （8x16） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | JS28F256J3D95A | - | | 8708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
 | MT46H32M32LFMA-5 IT：B TR | - | | 3737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H32M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 5 ns | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | ||
| MT53D384M16D1Z1AMWC1 | - | | 6452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | MT53D384 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| JS28F00AM29EWHB TR | - | | 4978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F00AM29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 110ns | |||
 | MT29F16G08ADACAH4：c | - | | 2282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT53B256M64D2TP-062 XT ES：C TR | - | | 9216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
 | MT53B384M32D2NP-062 AIT：b | - | | 3679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 12gbit | ドラム | 384m x 32 | - | - | |||||
 | MT48LC16M16A2B4-6A AIT：G TR | - | | 4986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | mtfc32gakaeef-aat tr | - | | 4825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29F256G08EBHAFB16A3WEA | - | | 7796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT53D768M64D8NZ-046 WT：E TR | 179.4900 | | 8516 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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