SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46V32M8FG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8FG-75：g -
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
MT41K256M16TW-93:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-93：P Tr -
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
N25Q128A13ESEC0E Micron Technology Inc. N25Q128A13ESEC0E -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT47H32M16CC-3:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M16CC-3：B TR -
RFQ
 ECAD 9081 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA（12x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC8M16A2TG-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-6A：g -
RFQ
 ECAD 9413 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E：b -
RFQ
 ECAD 1434 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
MT29F1T08CUCCBH8-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6R：C Tr -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MTFC16GJGEF-AIT Z Micron Technology Inc. mtfc16gjgef-ait z -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F128G08EBEBBWP:B Micron Technology Inc. MT29F128G08EBEBBWP：b -
RFQ
 ECAD 5917 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MTFC64GJDDN-3M WT Micron Technology Inc. mtfc64gjddn-3m wt -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga mtfc64 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT57W512H36BF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36BF-7.5 23.0000
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA MT57W512H SRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT41J256M16HA-107:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-107：e -
RFQ
 ECAD 8448 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
M50FW040N5G Micron Technology Inc. M50FW040N5G -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -20°C〜85°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC-IT：E Tr -
RFQ
 ECAD 2059 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MTFC4GLDEA-0M WT Micron Technology Inc. mtfc4gldea-0m wt -
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
M29W640GL70NB6E Micron Technology Inc. M29W640GL70NB6E -
RFQ
 ECAD 5667 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 70ns
M28W640HSB70ZA6E Micron Technology Inc. M28W640HSB70ZA6E -
RFQ
 ECAD 4001 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TFBGA M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TFBGA（10.5x6.39） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 816 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3：b -
RFQ
 ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E768G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 768GBIT フラッシュ 96g x 8 平行 -
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-ITX：E TR -
RFQ
 ECAD 4322 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
JS28F640J3D75A Micron Technology Inc. JS28F640J3D75A -
RFQ
 ECAD 9368 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F640J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 64mbit 75 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 75ns
MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G080808ABAGAH4-AAT：G TR 2.7665
RFQ
 ECAD 4829 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT：GTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 20ns
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES：e -
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜105°C（TC） MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MTFC128GAZAQJP-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gazaqjp-aat 73.9500
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-VFBGA MTFC128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC128GAZAQJP-AAT 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
MTFC256GBAOANAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc256gbaoanam-wt tr -
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT46H64M32LFCX-48 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-48 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 14.4ns
N25Q064A13EF8H0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8H0F TR -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBL06B3WC1 -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT：b -
RFQ
 ECAD 6102 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,120 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53D512M64D4NW-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 9622 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 432-VFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 432-VFBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます