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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TE28F256J3D95B TR | - |  | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
 | MT29F128G08CFAAAWP-Z：a | - | | 6630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53D8D1BSQ-DC | - | | 4829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d8 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||
 | MT25QU128ABA8E12-0AAT | - | | 7392 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT42L128M32D1TK-25 AIT：A TR | - | | 3613 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-wfbga | MT42L128M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 134-FBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC8M16A2B4-6A AIT：L TR | - | | 3472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 | - | | 5403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
| MT62F1G32DS-023 AUT：c | 36.7350 | | 2367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：c | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | mtfc128gazaqjp-aat | 73.9500 | | 8570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAZAQJP-AAT | 1 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | |||||
 | MT25QU512ABB8E12-0AUT | 14.4100 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QU512ABB8E12-0AUT | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,122 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
 | MT41K64M16JT-15E：g | - | | 2645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.5 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
| MT53D512M64D4NY-046 XT ES：e | - | | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||||||
 | MT29F2G080808ABAGAH4-AAT：G TR | 2.7665 | | 4829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08ABAGAH4-AAT：GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 20ns | |||
 | MT53D512M32D2DS-053 WT：D TR | - | | 5696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||
 | mtfc32gasaqhd-aat | 19.1400 | | 6760 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC | - | |||||
 | MT44K16M36RB-093E：TR | - | | 5693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
| JS28F640J3D75A | - | | 9368 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F640J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 75ns | |||
| M29W128GL70N3F TR | - | | 5829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,200 | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | mt46v64m16p-6t it：a | - | | 7415 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 1gbit | 700 ps | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT44K16M36RB-093 IT：a | - | | 6425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 10 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
| EDF8164A3MA-GD-FR TR | - | | 2230 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 253-FBGA （11x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - | ||||
| MT53D1024M32D4BD-053 WT：D TR | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| MT46V256M4P-75：TR | - | | 1252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V256M4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 256m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53E512M64D4NW-053 WT：e | - | | 7235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||||
| NAND02GAH0IZC5E | - | | 6535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-LFBGA | NAND02G | フラッシュ -ナンド | 3.135V〜3.465V | 153-lfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | -nand02gah0izc5e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | MMC | - | ||
| MT47H32M16NF-25E AIT：H TR | 4.4952 | | 5984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT47H32M16NF-25EAIT：HTR | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |
 | MT29F128G08CEAAAC5：a | - | | 6020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT41J128M8JP-15E AIT：g | - | | 3071 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （8x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F1G16ABBFAH4-AAT：F Tr | 2.9665 | | 1359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G16 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT：FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| mtfc4gldea-0m wt | - | | 3198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 153-wfbga（11.5x13 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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