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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28EW512ABA1HJS-0SIT | 12.1700 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 64m x 8、32m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | MT29F1G01ABBFDWB-IT：f | 2.4489 | | 6211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT29F1G01ABBFDWB-IT：FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | |||
 | MT48LC8M16A2TG-75 L IT：g | - | | 1297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MTFC8GACAENS-K1 AIT | - | | 5434 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U | - | | 9503 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | - | - | MT29RZ4C4 | フラッシュ-nand、dram -lpddr2 | 1.8V | - | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 980 | 533 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） | フラッシュ、ラム | 256M x 16 | 平行 | - | ||||
 | mt46v64m8bn-6：f | - | | 5295 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A512M8RH-075EAAT：b | - | | 9564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x10.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.33 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53D256M64D4NY-046 XT ES：B TR | - | | 1879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53D256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||
 | MT47H64M16B7-5E：TR | - | | 7287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 92-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 92-FBGA （11x19） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | 600 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT48LC32M8A2P-7E：d | - | | 5485 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 14ns | ||
| MT29F2G01ABAGDWB-IT：g | 2.0207 | | 4733 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-updfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT29F2G01ABAGDWB-IT：GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | |||
 | MT47R128M8CF-3：h | - | | 8198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47R128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.55V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V128M8P-75：a | - | | 5185 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT61M256M32JE-12 AAT：A TR | - | | 8157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
 | MT29E768G08EEHBBJ4-3：b | - | | 7374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E768G08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 768GBIT | フラッシュ | 96g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT29F2G01AAAEDH4-ITX：E TR | - | | 4322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 2g x 1 | spi | - | ||||
 | M28W640HSB70ZA6E | - | | 4001 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TFBGA | M28W640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-TFBGA（10.5x6.39） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| MT53D512M64D4BP-046 WT：E TR | - | | 6398 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||||||
| mt46v64m8tg-6t it：f tr | - | | 4588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | - | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| mtfc16gapalna-ait | - | | 1753 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | MTFC16 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | ||||||||||||||||
 | MT35XU01GBBA2G12-0AAT | 22.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu01 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | xccelaバス | - | |||
 | MT29F16G08ABCBBH1-12：B TR | - | | 7916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT41K2G4RKB-107：n | - | | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | - | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,440 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | ||||
| MT52L4DAPQ-DC TR | - | | 1911年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | MT52L4 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| mt42l64m64d2ll-18 wt：c tr | - | | 3342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 64m x 64 | 平行 | - | ||||
| EDFA232A2PB-GD-FR TR | - | | 3053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT28F320J3BS-11 et | - | | 5692 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F320J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | - | |||
 | mtfc64gapakea-wt tr | - | | 7566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-WFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-wfbga（11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| TE28F256J3D95B TR | - | | 1037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
 | MT29F128G08CFAAAWP-Z：a | - | | 6630 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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