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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4G08ABAFAWP-AAT：F Tr | 3.8912 |  | 7790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G08ABAFAWP-AAT：FTR | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-IT：e | 3.9000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | N25W064A11EF640E | - | | 6469 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25W064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | - | ||||
 | MT29F1T208ECCBBJ4-37：b | - | | 9074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T208 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 1.125tbit | フラッシュ | 144g x 8 | 平行 | - | ||||
 | M25P32-VMF6TP TR | - | | 6619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | M25p3 2 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
 | MT29F128G08CBCABH6-6：TR | - | | 6749 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-VBGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-VBGA（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||
| MT29F256G08CJAAAWP-Z：a | - | | 1417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT46V32M16CV-5B：J | - | | 7713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （8x12.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
 | MT61M256M32JE-10 AAT：a | - | | 6178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 180-tfbga | MT61M256 | sgram -gddr6 | 1.21V〜1.29V | 180-FBGA（12x14） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.25 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| MT29F32G0888888888888-IT：C Tr | - | | 3718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT41K512M8DA-125：P Tr | - | | 5997 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| MT25TL01GHBB8ESF-0AAT | - | | 2032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | TE28F256J3D95A | - | | 1797 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F256J3 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 256mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 95ns | |||
| MT53B2G32D8QD-062 WT ES：D TR | - | | 2962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53B2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||
| MT46V32M16BN-5B L IT：F | - | | 2599 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT41K512M16HA-125：a | - | | 3703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 2832-MT41K512M16HA-125：ATR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |
 | RC28F256K3C120 | - | | 3088 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 853157 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 170 | 不揮発性 | 256mbit | 120 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 120ns | ||
 | mt48lc2m32b2p-6 it：g | - | | 8783 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 12ns | ||
 | MT53D512M32D2NP-046自動：d | - | | 3210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
| MT48LC8M16A2B4-6A AAT：L TR | - | | 2043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
 | MT29F4G16ABAFAH4-AITES：F Tr | - | | 9268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
 | MT44K16M36RB-093E：B TR | 57.5400 | | 6171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K16M36 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | ||
 | MT29F256G08AKCBBH7-6IT：b | - | | 4621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT53B768M64D8NK-053 WT ES：D | - | | 1613 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA （15x15） | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||
| mtfc16gjvec-it tr | - | | 9892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT47H64M16HR-3 AAT：h | - | | 1846年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES：D | - | | 7782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
| MT41J256M8HX-125：d | - | | 7278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
| N25Q064A13ESED0E | - | | 5411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT44K32M18RB-093E：B TR | - | | 1562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 168-TBGA | MT44K32M18 | ドラム | 1.28V〜1.42V | 168-BGA（13.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 576mbit | 8 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
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