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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C Micron Technology Inc. MT29F64G08AKCCBH2-10Z：c -
RFQ
 ECAD 4264 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-tbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT53E4D1AHJ-DC TR Micron Technology Inc. mt53e4d1ahj-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1AHJ-DCTR 2,000
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-75 IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 3209 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
EMFA164A2PM-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFA164A2PM-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMFA164 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT62F1G64D4EK-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 WT：b 45.6900
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT47H256M8THN-25E:M Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E：m -
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,518 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
MT53B4DAPV-DC Micron Technology Inc. mt53b4dapv-dc -
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 - - mt53b4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 840 揮発性 ドラム
M25PE10-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 7813 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25PE10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 15ms、3ms
MT53B512M64D4PV-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 7048 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 840 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F1G01ABAFDSF-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFDSF-IT：F -
RFQ
 ECAD 9701 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
MT40A8G4VNE-062H:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4VNE-062H：B TR 80.8350
RFQ
 ECAD 8852 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC MT40A8G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A8G4VNE-062H：BTR 8542.32.0071 3,000 1.6 GHz 不揮発性 32gbit 13.75 ns ドラム 8g x 4 平行 -
MT40A2G4SA-062E PS:R Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E PS：R -
RFQ
 ECAD 1842年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A2G4SA-062EPS：R 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3：b -
RFQ
 ECAD 7811 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 - 確認されていません
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR Micron Technology Inc. mt29vzzz7d7hqkwl-062 w es.g7a tr -
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzz7 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AUT：E TR 50.2500
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 557-MT53E768M32D4DT-053AUT：ETR 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT53E4D1ADE-DC Micron Technology Inc. mt53e4d1ade-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1ADE-DC 1,360
PC48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB00A -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-lbga PC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E14-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU256 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT58L64L32PT-6TR Micron Technology Inc. MT58L64L32PT-6TR 3.5200
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 166 MHz 揮発性 2mbit 3.5 ns sram 64k x 32 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AUT：c 73.6500
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E768M64D4HJ-046AUT：c 1 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
M25PX80-VMP6TGAA TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TGAA TR -
RFQ
 ECAD 2564 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT46V32M16T67A3WC1 Micron Technology Inc. MT46V32M16T67A3WC1 -
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR 5.8438
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16-sop2 - 557-MT25QL256BBB8ESF-CSITTR 1,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT Micron Technology Inc. mt29c4g48mazbbakb-48 it 11.8650
RFQ
 ECAD 3556 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,008 208 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ADAGDWB-IT：G TR -
RFQ
 ECAD 1971年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT Micron Technology Inc. mt29c8g96maafbackd-5 wt -
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 512M x 16 平行 -
MT29F1G08ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
MT29F1G08ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAHC：D Tr -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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