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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
EDFA112A2PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 5454 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L：g -
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT46V32M16BN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B：c -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 7833 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 4424 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29F400FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FB55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 3491 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT35XL256ABA1G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XL256ABA1G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 2172 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga MT35XL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 xccelaバス -
M25P16-V6D11 Micron Technology Inc. M25P16-V6D11 -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M25P16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -
MT61K512M32KPA-14:B TR Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14：B TR -
RFQ
 ECAD 4897 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K512 sgram -gddr6 1.31V〜1.391V 180-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT61K512M32KPA-14：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 7 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT53D4DAWT-DC Micron Technology Inc. MT53D4DAWT-DC -
RFQ
 ECAD 8084 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - - mt53d4 SDRAM-モバイルLPDDR4 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT25QU128ABA1ESE-MSIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA1ESE-MSIT -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-sop2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
M29W128GL70ZS6E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS6E -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
RC28F160C3BD70A Micron Technology Inc. RC28F160C3BD70A -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F160 フラッシュ -ブートブロック 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 144 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 1m x 16 平行 70ns
PC28F064M29EWBX Micron Technology Inc. PC28F064M29EWBX -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 184 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
EDFP264A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP264A2PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP264 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBL04A3WC1 12.3500
RFQ
 ECAD 3732 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 死ぬ - 1 （無制限） 影響を受けていない 8542.32.0071 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT46V32M16FN-6:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6：C Tr -
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT48LC32M8A2P-6A:G Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A：g -
RFQ
 ECAD 2194 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 167 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 12ns
PC28F256P30T85A Micron Technology Inc. PC28F256P30T85A -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT41K512M8RH-125 AAT:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 AAT：e -
RFQ
 ECAD 8140 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT53E768M64D4HJ-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT ES：C TR 48.1050
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E768M64D4HJ-046WTES：CTR 2,000
EDB8164B4PT-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 8781 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB8164 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 128m x 64 平行 -
MT48H32M16LFB4-6 AT:C TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 AT：C TR -
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX：e 3.7059
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
M25PE16-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE16-VMP6G -
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、3ms
MT48LC8M16LFF4-8:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-8：G TR -
RFQ
 ECAD 2123 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
EDFP112A3PB-GDTJ-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GDTJ-FR TR -
RFQ
 ECAD 5617 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT：B TR -
RFQ
 ECAD 6357 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
MT49H16M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18CFM-25：B TR -
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
M25P05-AVMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P05-AVMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 9557 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25P05-A フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 50 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 15ms、5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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