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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2G08ABAEAWP-AATX：e | 5.6400 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | M29F160FB55N3F2 TR | - | | 3731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F160 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 55 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 55ns | |||
| MT29F1G08ABAEAM68M3WC1 | - | | 5627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53B1024M32D4NQ-062 WT：C TR | - | | 8715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||
| MT29VZZZBD9FQKPR-046 W.G9J | - | | 2458 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | mt29vzzzbd9 | - | ROHS3準拠 | 557-MT29VZZZBD9FQKPR-046W.G9J | 廃止 | 152 | ||||||||||||||||||
| MT29C8G96MAZBADJV-5 IT | - | | 9548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | ||||
| MT53B256M32D1GZ-062 AIT：B TR | - | | 4224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （11x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||||
 | MT53B256M32D1NP-053 WT：c | - | | 7341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
 | MT29F512G08CMEABH7-12IT：TR | - | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53E256M16D1DS-046 AIT：b | - | | 3212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E256M16D1DS-046AIT：b | 廃止 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | - | - | |||||||
| EDFA232A2MA-GD-FD | - | | 9118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,890 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | 平行 | - | ||||
| NAND256W3A2BE06 | - | | 2016年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | NAND256 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | 50 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 50ns | ||||
| MT51K256M32HF-60：a | - | | 7915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51K256 | sgram -gddr5 | - | 170-FBGA（12x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
 | M25P80-VMP6G | - | | 7769 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 294 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| MT29C1G12MAACYAKD-5 IT | - | | 4871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT52L256M64D2PP-107 WT：B TR | - | | 9490 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 253-VFBGA | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA （11x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
| MT48LC4M16A2B4-6A：J | - | | 7115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 12ns | ||
| M36L0R7050L3ZSE | - | | 8464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | M36L0R7050 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,304 | |||||||||||||||||
| mtfc256gazaotd-aat tr | 99.5850 | | 7884 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC256GAZAOTD-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A13TSF40F TR | - | | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q128A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT47H32M16NF-187E：h | - | | 6561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 533 MHz | 揮発性 | 512mbit | 350 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F4T08EYHBBG9-3RES：B TR | - | | 8100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F4T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | 平行 | - | |||
| mt41k1g8the-15e：d tr | - | | 4293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA（10.5x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT53E512M16D1FW-046AAT：d | 10.3200 | | 1867年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AAT：d | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 18ns | |||||||
| MT53D1G64D8S Q-053 WT：e | - | | 7361 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 556-VFBGA | MT53D1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 556-VFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||
 | MT58L32L32DT-6 | 7.8000 | | 934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | MT58L32L32 | sram-同期 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 1mbit | 3.5 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | ||
 | PF48F4000P0ZTQ0A | - | | 3197 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-VFBGA 、CSPBGA | 48F4000P0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| M50FW080K5G | - | | 5656 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 32-lcc | M50FW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 32-PLCC（11.35x13.89） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| MT53B384M64D4NH-062 WT ES：A TR | - | | 5094 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | ||||
| MT29F128G08AJAAAWP-IT：a | - | | 4982 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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