画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29VZZZBD81SLSL-046 W.22D | 33.7950 | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | - | 557-MT29VZZZBD81SLSL-046W.22D | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WEA | - | ![]() | 7796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F256G08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.5V〜3.6V | 死ぬ | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||||
M58BW16FB4T3T TR | - | ![]() | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ(CT) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 80-BQFP | M58BW16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 500 | 不揮発性 | 16mbit | 45 ns | フラッシュ | 512K x 32 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
MT41J128M16JT-107G:K Tr | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | mtfc256gaxatea-wt tr | 27.5700 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC256GAXATEA-WTTR | 2,000 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||||||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR | - | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT62F1536M64D8CL-026 WT:B TR | 55.3050 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-026WT:BTR | 2,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 1.5GX 64 | 平行 | - | ||||||||
MT47H64M16HR-25E AIT:h | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT53D4DBBD-DC | - | ![]() | 8484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR | - | ![]() | 7689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||
![]() | MT29F256G08CKCABH2-10Z:TR | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-tbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | M29W160EB70N3F TR | - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W160 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT53E768M32D4DT-053 AIT:e | 26.6100 | ![]() | 1445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53E768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E768M32D4DT-053AIT:e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | ||
![]() | M58LT128KSB7ZA6F TR | - | ![]() | 9359 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | M25P80-VMW6TG TR | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | M25P80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | mtfc16gjvec-wt tr | - | ![]() | 2210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | - | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR | - | ![]() | 9216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||
![]() | MT53B768M32D4NQ-053 WT:B TR | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53B768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 768m x 32 | - | - | |||
![]() | MT29F16G08ADACAH4:c | - | ![]() | 2282 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | M29W400DT45ZE6E | - | ![]() | 9154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA (6x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT29F2T08EMHBFJ4-R:b | - | ![]() | 8821 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand (TLC) | 1.7V〜1.95V | 132-VBGA(12x18) | - | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-R:b | 廃止 | 8542.32.0071 | 1,120 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | N25Q064A13ESED0G | - | ![]() | 1325 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | JS28F00AM29EWHB TR | - | ![]() | 4978 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F00AM29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 110ns | |||
![]() | MT45W2MW16PGA-70 IT | - | ![]() | 2646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 48-VFBGA | MT45W2MW16 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:d | - | ![]() | 1049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||
![]() | JS28F256P33T2E | - | ![]() | 3790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | JS28F256p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 105 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 105ns | ||
![]() | MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F | - | ![]() | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | mt29vzzzac8 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | ||||||||||||||||
![]() | M25P40-VMP6TGBX0 TR | - | ![]() | 8925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | MT46H64M32L2JG-5それ:a | - | ![]() | 3580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 168-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns |
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