SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08888ABAFAH4-AAT：f 2.9984
RFQ
 ECAD 6915 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT：f 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit 20 ns フラッシュ 128m x 8 平行 20ns
MT41J512M8RH-093:E TR Micron Technology Inc. MT41J512M8RH-093：E TR -
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT45W4MW16PCGA-70 WT TR Micron Technology Inc. mt45w4mw16pcga-70 wt tr -
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
PF48F4000P0ZBQEA Micron Technology Inc. PF48F4000P0ZBQEA -
RFQ
 ECAD 8864 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-VFBGA 、CSPBGA 48F4000P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 176 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT48H4M16LFF4-10 TR Micron Technology Inc. mt48h4m16lff4-10 tr -
RFQ
 ECAD 1542 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 64mbit 7 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT53D512M64D4HR-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 7532 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F512G08CFCBBWP-10M:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10M：B TR -
RFQ
 ECAD 4910 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT29F16G08ABCCBH1-10Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABCCBH1-10Z：C Tr -
RFQ
 ECAD 1455 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
EDBA232B2PD-1D-F-D Micron Technology Inc. EDBA232B2PD-1D-FD -
RFQ
 ECAD 5322 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDBA232 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,680 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT47H512M4EB-3:C Micron Technology Inc. MT47H512M4EB-3：c -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT29F256G08AUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABJ3-10Z：TR -
RFQ
 ECAD 2769 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 132-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT28F400B5SG-8 T Micron Technology Inc. mt28f400b5sg-8 t -
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
M29W800DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W800DB70ZE6E -
RFQ
 ECAD 5618 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 187 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MTFC16GKQDI-IT MS Micron Technology Inc. mtfc16gkqdi-it ms -
RFQ
 ECAD 8219 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
N25Q064A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q064A13EV741 -
RFQ
 ECAD 2408 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT46V16M16TG-75 L:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 L：F -
RFQ
 ECAD 3068 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT25QL01GBBB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB8E12-0AUT 24.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT25QL01GBBB8E12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC16GLXDV-WT Micron Technology Inc. mtfc16glxdv-wt -
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29F512G08CUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10：a -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F -
RFQ
 ECAD 3536 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B2 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND ）、2GBIT「LPDDR2） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT47H128M16RT-25E XIT:C Micron Technology Inc. MT47H128M16RT-25E XIT：c -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （9x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0036 1,260 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT48LC4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc. MT48LC4M32LFF5-8：g -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 4m x 32 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT：c -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MTFC16GJDEC-2M WT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjdec-2m wt tr -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-WFBGA mtfc16g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-WFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT48V8M16LFB4-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8 IT：g -
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT41J512M8THD-15E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8THD-15E：d -
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 4gbit 13.5 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT40A512M16JY-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083EAAT：b -
RFQ
 ECAD 8819 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （8x14） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,280 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
PC28F00AP30EF0 Micron Technology Inc. PC28F00AP30EF0 -
RFQ
 ECAD 6374 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F00A フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 64m x 16 平行 100ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます