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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
JS28F256J3F1058 TR Micron Technology Inc. JS28F256J3F1058 TR -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,600 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
MT29E1T08CUCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CUCBBH8-6：B TR -
RFQ
 ECAD 5749 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT48LC16M16A2P-75 IT:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-75 IT：D TR -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT25TL512HBA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
EDFP112A3PB-GD-F-R Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GD-FR -
RFQ
 ECAD 4243 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
MT25QL128ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-0AAT TR 5.0400
RFQ
 ECAD 5124 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCBBH6-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 4997 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F8G08ABACAH4-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABACAH4-IT：c -
RFQ
 ECAD 1765 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
MT42L256M32D2LK-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D2LK-18 WT：a -
RFQ
 ECAD 3538 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 216-WFBGA MT42L256M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 216-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT62F768M32D2DS-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 FAAT：b 25.6500
RFQ
 ECAD 2162 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT：b 1 4.266 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 平行 -
MT46V64M8P-5B:J Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B：J 4.6126
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,080 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT46H32M32LFCG-6:A TR Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6：TR -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VFBGA MT46H32M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 152-VFBGA（14x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 5 ns ドラム 32m x 32 平行 15ns
MT4A1G8SA-75:E Micron Technology Inc. MT4A1G8SA-75：e -
RFQ
 ECAD 5190 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ MT4A1 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,020
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT Micron Technology Inc. MT29C8G96MAYBADJV-5 WT -
RFQ
 ECAD 5527 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-VFBGA MT29C8G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 8gbit（nand フラッシュ、ラム 1g x 8 平行 -
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3R：b -
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
MT29F2G16ABAFAWP:F TR Micron Technology Inc. mt29f2g16abafawp：f tr -
RFQ
 ECAD 3241 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F2G16ABAFAWP：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT46V128M4BN-75:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4BN-75：D TR -
RFQ
 ECAD 2701 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
MT44K16M36RB-093E:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-093E：a -
RFQ
 ECAD 1848年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-TBGA MT44K16M36 ドラム 1.28V〜1.42V 168-BGA（13.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,190 1.066 GHz 揮発性 576mbit 8 ns ドラム 16m x 36 平行 -
PC28F00AG18FE Micron Technology Inc. PC28F00AG18FE -
RFQ
 ECAD 1909 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F00A フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） -pc28f00ag18fe 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 1gbit 96 ns フラッシュ 64m x 16 平行 96ns
M29W160ET90N1 Micron Technology Inc. M29W160ET90N1 -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 90ns
MT29F1G16ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABCHC-ET：C Tr -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT29F128G08AMAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAAAC5-IT：a -
RFQ
 ECAD 2256 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT41J128M16JT-107G:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-107G：k -
RFQ
 ECAD 2402 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT ES：E TR -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT：b -
RFQ
 ECAD 1497 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadvamd-5 it tr -
RFQ
 ECAD 8101 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 64m x 16 平行 -
MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCD91SFSM-046 W.18C TR 32.0400
RFQ
 ECAD 1949年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 557-MT29VZZZCD91SFSM-046W.18CTR 1
MTFC8GAMALNA-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gamalna-ait -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F1G08ABAFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08888ABAFAH4-AAT：f 2.9984
RFQ
 ECAD 6915 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F1G08ABAFAH4-AAT：f 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit 20 ns フラッシュ 128m x 8 平行 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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