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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T208 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 1.125tbit フラッシュ 144g x 8 平行 -
N25Q064A13EV740 Micron Technology Inc. N25Q064A13EV740 -
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
RC28F320J3D75E Micron Technology Inc. RC28F320J3D75E -
RFQ
 ECAD 6371 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 不揮発性 32mbit 75 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 75ns
MTEDFBR4SCA-1P2IT Micron Technology Inc. MTEDFBR4SCA-1P2IT -
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ アクティブ mtedfbr4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 150
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A XIT：L TR 14.1100
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
28032116 Micron Technology Inc. 28032116 -
RFQ
 ECAD 7221 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 - - - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,500
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUCBBM4-37：B TR -
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
MT62F1G64D8CH-036 WT:A Micron Technology Inc. MT62F1G64D8CH-036 WT：a -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -25°C〜85°C MT62F1G64 SDRAM- lpddr5 1.05V - 557-MT62F1G64D8CH-036WT：a 廃止 8542.32.0071 1,190 2.75 GHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 1g x 64 - -
MT48LC4M16A2P-75 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75 IT：G -
RFQ
 ECAD 7742 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MTFC64GAPALBH-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc64gapalbh-aat es tr -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT47H64M16NF-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E：M Tr 3.4165
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H64M16NF-25E：MTR ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MTFC32GJDED-4M IT Micron Technology Inc. MTFC32GJDED-4Mそれ -
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT47H64M16HR-25E:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E：h -
RFQ
 ECAD 9366 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M29W640GB6AZA6E Micron Technology Inc. M29W640GB6AZA6E -
RFQ
 ECAD 1952年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT46H16M16LFBF-5:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-5：H TR -
RFQ
 ECAD 4339 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
M25P32-VME6G Micron Technology Inc. M25P32-VME6G -
RFQ
 ECAD 5399 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25p3​​ 2 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 320 75 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFB16A3WSA -
RFQ
 ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F256G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.5V〜3.6V 死ぬ - 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1 333 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08ABAAAM73A3WC1 -
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT41K512M8RH-125 AIT:E Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-125 AIT：e -
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 13.75 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT47H64M16HR-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3：H TR -
RFQ
 ECAD 8999 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA MT53B1024 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
EDBA232B2PF-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBA232B2PF-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-TFBGA EDBA232 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 平行 -
MT29F64G08CFACAWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP：C Tr 14.1700
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F128G08CBCCBH6-6R:C TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCCBH6-6R：C TR -
RFQ
 ECAD 5879 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F128G08CBCCBH6-6R：CTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT49H64M9SJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9SJ-25E：B Tr -
RFQ
 ECAD 4656 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H64M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 64m x 9 平行 -
MT29F2G16ABAEAWP-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AIT：E TR 4.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CLHBBG1-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 3899 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F1T08CLHBBG1-3R：BTR 廃止 0000.00.0000 1,000 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-053 WT：d -
RFQ
 ECAD 5383 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT46V16M16CY-5B:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B：K Tr -
RFQ
 ECAD 3223 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT41J256M8DA-125:K TR Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-125：K Tr -
RFQ
 ECAD 6280 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 256m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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