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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
EDFB164A1MA-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFB164A1MA-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） EDFB164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
PC28F256P30BFA Micron Technology Inc. PC28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
M58LR128KB70ZB5E Micron Technology Inc. M58LR128KB70ZB5E -
RFQ
 ECAD 9274 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 56-VFBGA M58LR128 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 8m x 16 平行 70ns
NAND512W3A2DN6E Micron Technology Inc. NAND512W3A2DN6E -
RFQ
 ECAD 6846 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND512 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND512W3A2DN6E 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 50 ns フラッシュ 64m x 8 平行 50ns
MT47H128M8CF-25:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25：h -
RFQ
 ECAD 1376 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT46V64M8P-6T:F TR Micron Technology Inc. mt46v64m8p-6t：f tr -
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
N25Q512A11G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A11G1240E -
RFQ
 ECAD 9288 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT28F400B5WP-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 TET -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 9616 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 556-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 556-WFBGA（12.4x12.4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MTFC64GAKAEYF-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gakaeyf-4m it tr -
RFQ
 ECAD 8994 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-LFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド - 153-lfbga（11.5x13 - 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 MMC -
MT58L128V36P1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128V36P1T-7.5 7.0900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4mbit 4 ns sram 128k x 36 平行 -
MT48LC8M16A2P-6A:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A：L TR 5.8200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
PF48F4400P0VBQEJ Micron Technology Inc. PF48F4400P0VBQEJ -
RFQ
 ECAD 3617 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 88-TFBGA 、CSPBGA 48F4400P0 フラッシュ - 1.7V〜2V 88-scsp（ 8x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -pf48f4400p0vbqej 3A991B1A 8542.32.0071 1,056 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT48LC2M32B2P-7:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-7：G Tr -
RFQ
 ECAD 1393 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 14ns
MT41J128M16JT-093G:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093G：k -
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
M29F040B70K6E TR Micron Technology Inc. M29F040B70K6E TR -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M29F040 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 320 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512k x 8 平行 70ns
PF58F0033M0Y1BFA Micron Technology Inc. PF58F0033M0Y1BFA -
RFQ
 ECAD 1078 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 PF58F0033M0 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 290
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F3T08EUHBBM4-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F3T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 3tbit フラッシュ 384g x 8 平行 -
MT46V32M16CY-5B AAT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B AAT：J TR -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M28W640FCT70N6E Micron Technology Inc. M28W640FCT70N6E -
RFQ
 ECAD 8425 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MTFC16GAKAECN-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc16gakaecn-ait tr -
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 ECAD 6127 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.9V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT46V128M8TG-6T:A Micron Technology Inc. MT46V128M8TG-6T：a -
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V128M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F8G08ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. MT29F8G08888ABACAWP-IT：c -
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
PC28F256P30B2E Micron Technology Inc. PC28F256P30B2E -
RFQ
 ECAD 9852 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
N25Q128A11BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11BF840F TR -
RFQ
 ECAD 3977 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、5ms
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA112A2PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
EDF8132A3MA-JD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3MA-JD-FD -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,890 933 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
M29W800DB90N1 Micron Technology Inc. M29W800DB90N1 -
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W800 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 90ns
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc. mt29c4g48mazapakd-5 it -
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C4G48 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
RC28F256J3D95B TR Micron Technology Inc. RC28F256J3D95B TR -
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 ECAD 1637 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 95 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 95ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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