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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A4G4HPR-075H:G Micron Technology Inc. MT40A4G4HPR-075H：g -
RFQ
 ECAD 8041 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.33 GHz 揮発性 16gbit ドラム 4g x 4 平行 -
MT46V32M8TG-6T L:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-6T L：G TR -
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
PZ28F064M29EWBX Micron Technology Inc. PZ28F064M29EWBX -
RFQ
 ECAD 5814 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA PZ28F064M29 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT29F64G8CBCBBH1-1:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G8CBCBBH1-1：B TR -
RFQ
 ECAD 8593 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 100-VBGA MT29F64G8 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT46V16M16P-5B AIT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B AIT：M -
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,080 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT29F16G08CBACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP：c -
RFQ
 ECAD 9975 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MTFC4GMWDQ-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4gmwdq-ait a -
RFQ
 ECAD 3736 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc4gmwdq-aita 廃止 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT48LC16M16A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-7E：g -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,080 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT48V8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-10：g -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
M29W128GL70ZA3E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZA3E -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-TBGA M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-TBGA （10x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 136 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT49H64M9SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H64M9SJ-25E：b -
RFQ
 ECAD 3836 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H64M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 64m x 9 平行 -
MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBA8E12-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
JS28F00AP30BFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30BFA -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 110ns
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
N25Q512A83GSF40F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83GSF40F TR -
RFQ
 ECAD 8419 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AATX：e -
RFQ
 ECAD 7587 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT47H64M16B7-5E:A TR Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E：TR -
RFQ
 ECAD 7287 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 92-FBGA （11x19） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 200 MHz 揮発性 1gbit 600 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
M28W640HCT70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640HCT70ZB6E -
RFQ
 ECAD 5152 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M28W640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA （6.39x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
M29F800FB55N3F2 TR Micron Technology Inc. M29F800FB55N3F2 TR -
RFQ
 ECAD 1592 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
M58WR064KB7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR064KB7AZB6E -
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58WR064 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 336 66 MHz 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 4m x 16 平行 70ns
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT：B TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT49H16M36FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25E：b -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT40A512M8RH-075E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075EAAT：b -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MTFC8GACAENS-K1 AIT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-K1 AIT -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT41K512M16TNA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 M：E TR -
RFQ
 ECAD 5650 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MTFC16GJVEC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-it tr -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CPCBH8-6：B TR -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29E1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 IT：b -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT62F2G64D8EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT：B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023WT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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