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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC8GACAALT-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gacaalt-4m it tr -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-TBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） mtfc8gacaalt-4mittr 廃止 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT61M256M32JE-12 N:A TR Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-12 N：A TR -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61M256 sgram -gddr6 1.21V〜1.29V 180-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
MT46V16M16CY-5B AAT:M Micron Technology Inc. MT46V16M16CY-5B AAT：M -
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,368 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT53D384M64D4NZ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4NZ-053 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 6125 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT46H16M16LFBF-6 IT:H Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6それ：h -
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H16M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 平行 12ns
EDB4064B4PB-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1DIT-FD -
RFQ
 ECAD 1183 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 216-WFBGA EDB4064 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 216-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,680 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 64m x 64 平行 -
MT28F128J3RP-12 ET TR Micron Technology Inc. MT28F128J3RP-12 et tr -
RFQ
 ECAD 7122 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F128J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 120 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 -
MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAAAC5-ITZ：a -
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-VLGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 52-VLGA（18x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E4T08CTHBBM5-3ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HW-3：h -
RFQ
 ECAD 6164 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT45W4MW16BFB-706 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-706 WT -
RFQ
 ECAD 1480 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT49H16M18FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33：B TR -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CEHGBJ4-3RES：G TR -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
N25Q256A81ESF40G Micron Technology Inc. N25Q256A81ESF40G -
RFQ
 ECAD 5839 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A81 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,225 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT：e -
RFQ
 ECAD 7327 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT41K512M8RH-107:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M8RH-107：E TR -
RFQ
 ECAD 2290 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT29F2G16ABBEAHC:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBEAHC：e -
RFQ
 ECAD 8514 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 3627 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） - - MT53D2048 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT40A512M16JY-062E IT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-062E IT：b -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
N25Q064A13EW9D0E Micron Technology Inc. N25Q064A13EW9D0E -
RFQ
 ECAD 7668 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,920 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A AIT：L -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT41K64M16TW-107:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107：J 4.6100
RFQ
 ECAD 7743 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,224 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
N25Q008A11EF640F TR Micron Technology Inc. N25Q008A11EF640F TR -
RFQ
 ECAD 7301 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ N25Q008A11 フラッシュ - 1.7V〜2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 8ms、5ms
MTFC128GAPALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gapalna-aat es tr -
RFQ
 ECAD 2203 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 MTFC128 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT28F400B5SG-8 TET Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8テット -
RFQ
 ECAD 8807 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） MT28F400B5 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT53D4DGSB-DC Micron Technology Inc. mt53d4dgsb-dc -
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,190
M25PX80-VMP6TG0U TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0U TR -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT25QU128ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0AAT TR 3.5998
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46V32M8BG-75:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8BG-75：G Tr -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 750 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CKEDBJ5-12IT：D TR -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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