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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53B384M64D4TX-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TX-053 WT：b -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT41K128M16HA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-15E IT：d -
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 13.5 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT46V32M8P-5B IT:M Micron Technology Inc. MT46V32M8P-5B IT：M -
RFQ
 ECAD 5077 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29F128G08CFAABWP-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAABWP-12Z：TR -
RFQ
 ECAD 9039 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT40A256M16GE-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-075E IT：B Tr -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT49H32M18SJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-25E：B Tr -
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 32m x 18 平行 -
N25Q064A13E1240F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13E1240F TR -
RFQ
 ECAD 7395 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT40A512M8RH-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AIT：b -
RFQ
 ECAD 6863 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
EDB1332BDPC-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB1332BDPC-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MT41K256M16V00HWC1 Micron Technology Inc. MT41K256M16V00HWC1 4.9169
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
M25PE40-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 1861年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT42L16M32D1AC-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 IT：a -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT49H16M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H16M18CBM-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 5361 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M18 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 平行 -
MT53D768M64D8RG-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8RG-053 WT ES：D -
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,190 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6 -
RFQ
 ECAD 1392 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29tzzz5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
RC48F4400P0TB0EJ Micron Technology Inc. RC48F4400P0TB0EJ -
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA RC48F4400 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -RC48F4400P0TB0EJ 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 32m x 16 平行 95ns
MT28EW128ABA1HPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT：E TR 179.4900
RFQ
 ECAD 8516 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29F8G08ADBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4：d -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
JS28F256P33TFA Micron Technology Inc. JS28F256P33TFA -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F256p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 576 40 MHz 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 16m x 16 平行 105ns
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NH-062 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 272-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 272-WFBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBEAH4-AITX：E TR 3.7059
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT62F2G32D8DR-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT：b 47.0400
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT62F2G32D8DR-031WT：b 1
M29W064FT6AZA6E Micron Technology Inc. M29W064FT6AZA6E -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT29F4G08ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-IT：F TR 3.0165
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F4G08ABBFAH4-IT：FTR 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT48H8M16LFB4-6:K TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-6：K Tr -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT46V32M4P-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V32M4P-5B：D Tr -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 32m x 4 平行 15ns
MT53E512M64D4HJ-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4HJ-046 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 2716 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 557-MT53E512M64D4HJ-046WT：DTR 廃止 2,000
MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR 6.7739
RFQ
 ECAD 7288 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 256mbit 75 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 60ns
MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M64D4FL-046 XT：E TR -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜105°C（TC） MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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