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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8G08ADBDAH4：d | - |  | 7367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
 | JS28F256P33TFA | - | | 6848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JS28F256p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 576 | 40 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 105 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 105ns | ||
 | MT53B384M64D4NH-062 WT ES：b | - | | 5764 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 272-WFBGA | MT53B384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 272-WFBGA | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||
| MT29F2G08ABBEAH4-AITX：E TR | 3.7059 | | 5390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT62F2G32D8DR-031 WT：b | 47.0400 | | 9772 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F2G32D8DR-031WT：b | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W064FT6AZA6E | - | | 5072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | M29W064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT29F4G08ABBFAH4-IT：F TR | 3.0165 | | 3678 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT29F4G08ABBFAH4-IT：FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48H8M16LFB4-6：K Tr | - | | 5909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V32M4P-5B：D Tr | - | | 8489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V32M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E512M64D4HJ-046 WT：D TR | - | | 2716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | 557-MT53E512M64D4HJ-046WT：DTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||||
| MT28EW256ABA1LJS-0SIT TR | 6.7739 | | 7288 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28EW256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 256mbit | 75 ns | フラッシュ | 32m x 8、16m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| MT53D384M64D4FL-046 XT：E TR | - | | 4567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | MT53D384 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | - | - | |||||||||
| MT62F2G32D4DS-026 WT：b | 45.6900 | | 3633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | mtfc64gapalbh-aat | - | | 9015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||
| M58BW32FB5T3T TR | - | | 7843 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | カットテープ（CT） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 80-BQFP | M58BW32 | フラッシュ - | 2.5V〜3.3V | 80-PQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 500 | 不揮発性 | 32mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 32 | 平行 | 55ns | |||
 | MT53E128M32D2FW-046AIT：a | 7.9500 | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | - | 557-MT53E128M32D2FW-046AIT：a | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 18ns | |||||||
| mtfc256garatek-wt | 48.0450 | | 4890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | - | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC256GARATEK-WT | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | UFS 3.1 | - | |||||||||
| MT29F128G08EBHDBB05A3WC1ES | - | | 4051 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||||
| EMFA164A2PM-DV-FD | - | | 8945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | EMFA164 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||
 | PC28F640P30BF65B TR | - | | 3669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 75ns | ||
| MT46V128M4TG-5B：F Tr | - | | 5944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46H8M32LFB5-6：TR | - | | 4311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H8M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 12ns | ||
| MT40A512M16LY-075：e | 7.9500 | | 883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 1.33 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT48LC64M4A2P-7E：D TR | - | | 1067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 14ns | ||
| MT53B1G32D4NQ-062 WT ES：d | - | | 4554 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53B1G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||||||
| MT29F6T08ETHBBM5-3R：B TR | - | | 7229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F6T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | 不揮発性 | 6tbit | フラッシュ | 768g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT29F16G08ABACAWP-ITZ：C Tr | - | | 6938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F64G088888888888888：a | - | | 9438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | M45PE20S-VMN6P | - | | 2738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M45PE20 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 15ms、3ms | ||||
 | PC28F320J3F75E | - | | 2500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 不揮発性 | 32mbit | 75 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 75ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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