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メモリ（10402）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
mtfc16gludv-wt	-	RFQ	4353	Micron Technology Inc.	E•MMC™	バルク	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	-	mtfc16g	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	MMC	-
MT53E2G32D4NQ-046 WT：TR	-	RFQ	6995	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-30°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-VFBGA	MT53E2G32	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-VFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠			557-MT53E2G32D4NQ-046WT：ATR	廃止		2,000	2.133 GHz	揮発性	64gbit		ドラム	2g x 32	-	-
M25PE16-VMW6TG TR	-	RFQ	1370	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	M25PE16	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SO w	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	1,500	75 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi	15ms、3ms
EDF8132A3PK-GD-FR TR	-	RFQ	4988	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-30°C〜85°C （TC）	-	-	EDF8132	SDRAM- lpddr3	1.14V〜1.95V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	1,000	800 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	平行	-
mtfc128gazaotd-ait	40.2300	RFQ	4558	Micron Technology Inc.	-	箱	アクティブ								-				557-MTFC128GAZAOTD-AIT			1
MT29F8G01ADAFD12-ITS：F TR	-	RFQ	9998	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	-	MT29F8G01	フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000		不揮発性	8gbit		フラッシュ	8g x 1	spi	-
MT62F1G64D4ZV-026 WT：B TR	37.2450	RFQ	4064	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-25°C〜85°C	-	-		SDRAM- lpddr5	1.05V	-	-				557-MT62F1G64D4ZV-026WT：BTR			2,500	3.2 GHz	揮発性	64gbit		ドラム	1g x 64	平行	-
M25PE40-VMN6TPBA TR	-	RFQ	8998	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	M25PE40	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,500	75 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi	15ms、3ms
MT25QU128ABB8E57-CSIT TR	-	RFQ	4566	Micron Technology Inc.	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	-	-			1.7V〜2V	-	-			影響を受けていない	557-MT25QU128ABB8E57-CSITTR			1	166 MHz	不揮発性	128mbit	5 ns	フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	1.8ms
MT53E256M16D1FW-046 AUT：b	10.8000	RFQ	7000	Micron Technology Inc.	aec-q100	箱	アクティブ	-40°C〜125°C	表面マウント	200-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR4X	1.06V〜1.17V	200-TFBGA （10x14.5）	ダウンロード				557-MT53E256M16D1FW-046AUT：b			1	2.133 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	平行	18ns
M25P20-VMN6TP TR	-	RFQ	3233	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	M25P20	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,500	50 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi	15ms、5ms
N25Q512A13G1240F TR	-	RFQ	3714	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-tbga	N25Q512A13	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	24-T-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	108 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	128m x 4	spi	8ms、5ms
MT44K16M36RB-107：TR	-	RFQ	8927	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	168-TBGA	MT44K16M36	ドラム	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0024	1,000	933 MHz	揮発性	576mbit	10 ns	ドラム	16m x 36	平行	-
MT47H32M16HR-3：G TR	-	RFQ	3550	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	1,000	333 MHz	揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
MT53E384M32DS-053 AUT：E TR	-	RFQ	7754	Micron Technology Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜125°C	表面マウント	200-WFBGA	MT53E384	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-WFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	MT53E384M32D2DS-053AUT：ETR	ear99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	揮発性	12gbit		ドラム	384m x 32	-	-
MT47H64M16HR-3 AIT：H TR	-	RFQ	6601	Micron Technology Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA	MT47H64M16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns
MT47H128M8JN-3：h	-	RFQ	3231	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns
MT25QU128ABB8E57-CSIT	3.0000	RFQ	8279	Micron Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	-	-		フラッシュ -	1.7V〜2V	-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない				5,000	166 MHz	不揮発性	128mbit	5 ns	フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	1.8ms
MT41K128M16JT-17：K Tr	-	RFQ	6365	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	MT41K128M16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x14）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	1,000		揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	平行	-
MT62F3G32D8DV-026AAT：B TR	94.8300	RFQ	2214	Micron Technology Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C	-	-		SDRAM- lpddr5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-026AAT：BTR			2,000	3.2 GHz	揮発性	96gbit		ドラム	3g x 32	平行	-
mtfc128gapalph-ait	-	RFQ	9165	Micron Technology Inc.	E•MMC™	バルク	前回購入します	-40°C〜85°C（タタ			MTFC128	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V		-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	557-MTFC128GAPALPH-AIT		8542.32.0071	980		不揮発性	1tbit		フラッシュ	128g x 8	MMC	-
MT48LC16M8A2P-6A AIT：L	-	RFQ	2184	Micron Technology Inc.	aec-q100	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	MT48LC16M8A2	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,080	167 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 8	平行	12ns
M25P32-VMF6G	-	RFQ	5885	Micron Technology Inc.	-	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	M25p3 2	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	16-sop2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,225	75 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi	15ms、5ms
MT29F4G16ABAEAH4-IT：E TR	-	RFQ	5860	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA	MT29F4G16	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	63-VFBGA （9x11）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		不揮発性	4gbit		フラッシュ	256m x 16	平行	-
MT29F256G08CJABAWP-IT：b	-	RFQ	3057	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）	MT29F256G08	フラッシュ-nand （mlc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			3A991B1A	8542.32.0071	960		不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	平行	-
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8	-	RFQ	7736	Micron Technology Inc.	-	箱	廃止				mt29vzzzbd8				-		1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1,520
ECF620AAACN-C1-Y3	-	RFQ	6905	Micron Technology Inc.	-	バルク	アクティブ				ECF620				-		3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	1
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR	-	RFQ	2051	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	168-VFBGA	MT29RZ4C4	フラッシュ-nand、dram -lpddr2	1.8V	168-VFBGA（12x12）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	533 MHz	不揮発性、揮発性	4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2）		フラッシュ、ラム	256M x 16	平行	-
M29F080D70N6	-	RFQ	7060	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	40-tfsop （0.724 "、18.40mm	M29F080	フラッシュ -	4.5v〜5.5V	40-tsop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	120		不揮発性	8mbit	70 ns	フラッシュ	1m x 8	平行	70ns
MT62F1G32D2DS-023 FAAT：b	31.9350	RFQ	9507	Micron Technology Inc.	aec-q100	箱	アクティブ	-	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM- lpddr5	1.05V	200-WFBGA （10x14.5	-				557-MT62F1G32D2DS-023FAAT：b			1	4.266 GHz	揮発性	32gbit		ドラム	1g x 32	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²