SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29AZ5A5CMGWD-18AIT.87C TR Micron Technology Inc. mt29az5a5cmgwd-18ait.87c tr -
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29az5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1,000
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C Micron Technology Inc. MT29F8G088888ABACAWP-AIT：c 5.8748
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 20ns
MTFC8GLDDQ-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc8glddq-4m it tr -
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
PC28F064M29EWHA Micron Technology Inc. PC28F064M29EWHA -
RFQ
 ECAD 5057 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT40A512M16LY-062E IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E IT：E TR -
RFQ
 ECAD 8738 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
M29F010B45K6E Micron Technology Inc. M29F010B45K6E -
RFQ
 ECAD 1648 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc M29F010 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 32-PLCC（11.35x13.89） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 1mbit 45 ns フラッシュ 128k x 8 平行 45ns
M29F800DT70N6E Micron Technology Inc. M29F800DT70N6E -
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT46H8M16LFCF-75 Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-75 -
RFQ
 ECAD 2913 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H8M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.9V 60-VFBGA （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
EDFP164A3PD-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6245 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
MT25TL512BBA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT 13.3950
RFQ
 ECAD 2135 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBL94C3WC1 -
RFQ
 ECAD 3029 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F64G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 未定義のベンダー 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
MT29F4G08ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08888ABADAH4-IT：d 5.9300
RFQ
 ECAD 445 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT49H8M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25 IT：b -
RFQ
 ECAD 1858年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
NAND08GAH0FZC5E Micron Technology Inc. NAND08GAH0FZC5E -
RFQ
 ECAD 7569 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-LFBGA NAND08G フラッシュ -ナンド 3.135V〜3.465V 153-lfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND08GAH0FZC5E 3A991B1A 8542.32.0071 816 52 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 MMC -
MT29F1T08CUECBH8-12:C Micron Technology Inc. MT29F1T08CUECBH8-12：c -
RFQ
 ECAD 2439 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
N25Q128A13EF8C0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF8C0F TR -
RFQ
 ECAD 8072 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-10ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 1355 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F512G08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H8M36SJ-25 IT：B TR -
RFQ
 ECAD 5878 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA MT49H8M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-FBGA（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
M29W320DT70N3E Micron Technology Inc. M29W320DT70N3E -
RFQ
 ECAD 2098 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT46V64M16P-6T:A Micron Technology Inc. mt46v64m16p-6t：a -
RFQ
 ECAD 9527 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53D384M32D2DS-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4NK-053 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 3996 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA （15x15） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AIT：P Tr 16.7550
RFQ
 ECAD 6868 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT41K512M16VRP-107AIT：PTR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT46V32M16TG-6T:F Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T：F -
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 AIT：C TR -
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MTFC8GACAEAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GACAEAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -25°C〜85°C（タタ mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F16G08CBACAWP-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACAWP-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
MT48H32M16LFCJ-75 L IT:A TR Micron Technology Inc. MT48H32M16LFCJ-75 L IT：A TR -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H32M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 6 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F512G08CMCBBH7-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCBBH7-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 8464 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT47H32M8BP-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H32M8BP-5E：B TR -
RFQ
 ECAD 1174 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H32M8B SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA （8x12） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 600 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます