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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT46H32M16LFBF-6 AT:C Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 at：c -
RFQ
 ECAD 5337 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,782 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT29F4G08ABBDAHC:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC：d -
RFQ
 ECAD 2475 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CMHBBJ4-3R：b -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT53E384M32D2FW-046 IT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 IT：e 9.7650
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） - 557-MT53E384M32D2FW-046IT：e 1 2.133 GHz 揮発性 12gbit 3.5 ns ドラム 384m x 32 平行 18ns
MT45W2MW16BAFB-708 WT Micron Technology Inc. MT45W2MW16BAFB-708 WT -
RFQ
 ECAD 2904 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W2MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 32mbit 70 ns psram 2m x 16 平行 70ns
MTFC8GACAEDQ-AAT Micron Technology Inc. mtfc8gacaedq-aat -
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-093 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 178-VFBGA MT52L512 SDRAM- lpddr3 1.2V 178-FBGA （11.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 1067 MHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-ITX：e -
RFQ
 ECAD 7911 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MTFC256GAOAMAM-WT ES Micron Technology Inc. mtfc256gaoamam-wt es -
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 ECAD 4600 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT29F128G08AMEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMADEBJ5-12：D TR -
RFQ
 ECAD 6728 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABL85A3WC1-M -
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT29F2T08EMLCEJ4-R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLCEJ4-R：c -
RFQ
 ECAD 7964 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F2T08 フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 557-MT29F2T08EMLCEJ4-R：c 廃止 8542.32.0071 1,120 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
M29W040B90N1 Micron Technology Inc. M29W040B90N1 -
RFQ
 ECAD 7014 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W040 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 32-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 4mbit 90 ns フラッシュ 512k x 8 平行 90ns
MT62F1536M32D4DS-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 WT：B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 - 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1536M32D4DS-023WT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 平行 -
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maaivamd-5 it tr -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MT48LC32M8A2BB-75 L:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75 L：d -
RFQ
 ECAD 7550 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT44K64M18RCT-125:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RCT-125：TR -
RFQ
 ECAD 9958 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga MT44K64M18 rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 1.125Gbit 12 ns ドラム 64m x 18 平行
MT29F4G08ABBFAH4-AIT:F Micron Technology Inc. mt29f4g08abbfah4-ait：f 3.5374
RFQ
 ECAD 3204 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F4G08ABBFAH4-AIT：F 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
M58LR128KB85ZB6F TR Micron Technology Inc. M58LR128KB85ZB6F TR -
RFQ
 ECAD 6720 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-VFBGA M58LR128 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-VFBGA （7.7x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 128mbit 85 ns フラッシュ 8m x 16 平行 85ns
MT58L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT58L512Y36PT-6 18.9400
RFQ
 ECAD 891 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
MT35XL512ABA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL512ABA1G12-0AAT 11.5200
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 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X バルク アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xl512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT28F004B3VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 TET TR -
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 ECAD 7906 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F004B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512k x 8 平行 80ns
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-Z：C TR -
RFQ
 ECAD 8491 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29W128GL70ZS3E Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS3E -
RFQ
 ECAD 1133 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 64-lbga M29W128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 160 不揮発性 128mbit 70 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 70ns
MT55L64L32F1T-12IT Micron Technology Inc. MT55L64L32F1T-12IT 6.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 2mbit 9 ns sram 64k x 32 平行 -
MT58L64L32PT-6 TR Micron Technology Inc. mt58l64l32pt-6 tr -
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 ECAD 7637 0.00000000 Micron Technology Inc. * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500
N25Q512A83G12A0F Micron Technology Inc. N25Q512A83G12A0F -
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 ECAD 1972年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A83 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,500 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MT29F2G08ABDWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABDWP：D TR -
RFQ
 ECAD 4050 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
EDBM432B3PB-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDBM432B3PB-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA EDBM432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-FBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 533 MHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 平行 -
MT29F64G08AECABH1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10Z：a -
RFQ
 ECAD 6068 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F64G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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