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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G16WBU-075E：b | - |  | 1063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 1.33 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 1g x 16 | 平行 | - | |||
 | MTFC8GACAENS-5M AAT | - | | 2349 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-TFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | mtfc8glwdq-3m ait a tr | - | | 6330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFC8GLWDQ-3MAITATR | 廃止 | 1,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
 | MT49H16M36BM-25：TR | - | | 8674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H16M36 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-µbga（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 16m x 36 | 平行 | - | |||
| MT62F1G32D4DR-031 WT：B TR | 23.5200 | | 7985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F1G32D4DR-031WT：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4-IT：d | - | | 4035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
| MT25QU512ABA8E12-0SIT TR | - | | 2369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT53E768M64D4HJ-046 AIT：c | 58.2150 | | 3702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT：b | 13.2750 | | 5187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT：b | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 32 | 平行 | 18ns | |||
 | MT29F8G0808808ABABABAWP-AITX：b | - | | 5370 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT28F800B5WP-8T | - | | 2906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F800B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT25QU128ABB1ESE-0AUT | 5.9500 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 1.8ms | |||
| MT29C8G96MAYAPDJA-5 IT | - | | 3283 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT48LC8M16A2FF4-75 IT：G TR | - | | 6028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | MT28F004B5VG-8 T TR | - | | 7653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F004B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 80ns | |||
 | MT41K1G8SN-125：a | - | | 6262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x13.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.75 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | - | ||
| MT53B1G64D8NW-062 WT ES：d | - | | 8382 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53B1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | ||||||||
| MT41K256M8DA-107 AIT：K Tr | - | | 3101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
| MT41K256M16TW-107：p | 7.0600 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,224 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT29F256G08CKCABH2-12Z：TR | - | | 8153 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
| mtfc64gapalbh-it es tr | - | | 2664 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT62F4G32D8DV-026 WT ES：B TR | 90.4650 | | 2945 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026WTES：BTR | 2,000 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT29F2T08EELCHD4-T：c | 41.9550 | | 3837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-T：c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53E128M32D2DS-053 AAT：A TR | - | | 2688 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||||
 | MT55L256V36PT-7.5 | 8.2400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 8mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
| MT29F2G16ABAEAWP-AAT：e | 4.7200 | | 7411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F2G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT41J256M16HA-093G：E TR | - | | 4633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （9x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||
 | PZ28F064M29EWBA | - | | 1940年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | PZ28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-bga （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,122 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
| mt53b2dbds-dc tr | - | | 3045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
| MT29F2G08888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888」 | 2.6600 | | 6497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F2G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29F2G08ABAGAM79A3WC1L | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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