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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT53B512M32D2NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-053 WT：C TR -
RFQ
 ECAD 6714 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT25TL512HBA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,122 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT49H32M9FM-33:B Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33：b -
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H32M9 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 32m x 9 平行 -
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4BD-053 WT ES：C -
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT29F512G08CLCCBG1-6R:C Micron Technology Inc. MT29F512G08CLCCBG1-6R：c -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V16M16P-6T IT:K TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T IT：K Tr -
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V16M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
MT35XU01GBBA1G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA1G12-0AUT 25.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu01 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT35XU01GBBA1G12-0AUT 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 xccelaバス -
MT46V32M16P-6T:F Micron Technology Inc. mt46v32m16p-6t：f -
RFQ
 ECAD 5350 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT46H128M16LFDD-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 IT：c 9.6750
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,782 208 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 14.4ns
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCDBJ5-6R：d -
RFQ
 ECAD 5572 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント - MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 132-TBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 112 167 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
PC28F256G18FE Micron Technology Inc. PC28F256G18FE -
RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ チューブ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 133 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 16m x 16 平行 96ns
MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B768M64D8BV-062 WT ES：b -
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
M29W160EB70N1 Micron Technology Inc. M29W160EB70N1 -
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W160 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
EDFP164A3PD-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFP164A3PD-GD-FD -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C（TA） 表面マウント - EDFP164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,260 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 平行 -
PC28F512P30BFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30BFB TR -
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 Micron Technology Inc. axcell™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F512 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 32m x 16 平行 100ns
MT46V32M16FN-6:F Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6：F -
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT41K1G8SN-125 IT:A TR Micron Technology Inc. MT41K1G8SN-125 IT：A TR -
RFQ
 ECAD 3370 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x13.2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.75 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT53D8D1BSQ-DC TR Micron Technology Inc. mt53d8d1bsq-dc tr -
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d8 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
MT47H64M16HR-25E L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E L：H TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC4M16A2P-7E AIT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E AIT：j -
RFQ
 ECAD 6662 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,080 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 14ns
MT28F008B3VG-9 T TR Micron Technology Inc. mt28f008b3vg-9 t tr -
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 ECAD 7018 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm MT28F008B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8mbit 90 ns フラッシュ 1m x 8 平行 90ns
MT46V64M16TG-6T IT:A TR Micron Technology Inc. mt46v64m16tg-6t it：a tr -
RFQ
 ECAD 5173 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 167 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT53B2DDNP-DC TR Micron Technology Inc. mt53b2ddnp-dc tr -
RFQ
 ECAD 9293 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 2,000 揮発性 ドラム
TE28F640P30T85A Micron Technology Inc. TE28F640P30T85A -
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 ECAD 2328 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F640P30 フラッシュ - 1.7V〜2V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10Z：C TR -
RFQ
 ECAD 9330 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M50FW040N1 Micron Technology Inc. M50FW040N1 -
RFQ
 ECAD 9680 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 40-tfsop （0.724 "、18.40mm M50FW040 フラッシュ - 3V〜3.6V 40-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 120 33 MHz 不揮発性 4mbit 250 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-046 AAT：A TR 8.7450
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E128M32D2DS-046AAT：ATR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 - -
MT45W4MW16BFB-856 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-856 WT -
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 54-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （6x9） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 85 ns psram 4m x 16 平行 85ns
MT25QL256BBB8ESF-CSIT Micron Technology Inc. MT25QL256BBBBB8ESF-CSIT 5.8438
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -791-MT25QL256BBB8ESF-CSIT 1,440 133 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MT40A1G16KNR-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075：e 20.8542
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 ECAD 1008 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 前回購入します 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A1G16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 100 1.33 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns 確認されていません
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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