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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT：B TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8570 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
MT49H16M36FM-25E:B Micron Technology Inc. MT49H16M36FM-25E：b -
RFQ
 ECAD 3976 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 15 ns ドラム 16m x 36 平行 -
MT40A512M8RH-075E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075EAAT：b -
RFQ
 ECAD 9564 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,260 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 1879 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53D256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U -
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 ECAD 9503 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MT29RZ4C4 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V - - 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 980 533 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit （nand ）、4gbit （lpddr2） フラッシュ、ラム 256M x 16 平行 -
MTFC8GACAENS-K1 AIT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-K1 AIT -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT41K512M16TNA-125 M:E TR Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 M：E TR -
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 ECAD 5650 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 512m x 16 平行 -
MTFC16GJVEC-IT TR Micron Technology Inc. mtfc16gjvec-it tr -
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 ECAD 9892 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
NAND16GW3B6DPA6E Micron Technology Inc. NAND16GW3B6DPA6E -
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 ECAD 1423 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 114-LFBGA NAND16G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 114-LFBGA（12x16） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND16GW3B6DPA6E 3A991B1A 8542.32.0071 810 不揮発性 16gbit 25 ns フラッシュ 2g x 8 平行 25ns
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E1T08CPCBH8-6：B TR -
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 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29E1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT46H128M16LFB7-5 IT:B Micron Technology Inc. MT46H128M16LFB7-5 IT：b -
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H128M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-vfbga （10x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
MT62F2G64D8EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT：B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 5802 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023WT：BTR 2,000 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
MT28EW512ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HJS-0SIT 12.1700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 95 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
MT48LC8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-8 -
RFQ
 ECAD 1088 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 125 MHz 揮発性 256mbit 7 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
MT46V64M8BN-6:F Micron Technology Inc. mt46v64m8bn-6：f -
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 ECAD 5295 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABBFDWB-IT：f 2.4489
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn MT29F1G01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-updfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT29F1G01ABBFDWB-IT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 不揮発性 1gbit フラッシュ 1g x 1 spi -
M45PE20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE20-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 4151 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE20 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 15ms、3ms
MT47R128M8CF-3:H Micron Technology Inc. MT47R128M8CF-3：h -
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47R128M8 SDRAM -DDR2 1.55V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAH4-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 1824年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 512m x 16 平行 -
M29W320DB7AZA6F TR Micron Technology Inc. M29W320DB7AZA6F TR -
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 ECAD 9640 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E384G08EBHBBJ4-3ES：B Tr -
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 ECAD 3009 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E384G08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 384gbit フラッシュ 48g x 8 平行 -
M29W320DB70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320DB70ZE6E -
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 ECAD 7808 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W320 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -M29W320DB70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns
MT48LC32M8A2P-7E:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-7E：d -
RFQ
 ECAD 5485 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 14ns
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08CBEDBL83A3WC1 -
RFQ
 ECAD 4223 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT28EW128ABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HJS-0SIT 7.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-1776 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 128mbit 95 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 60ns
M45PE80-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M45PE80-VMP6TG TR -
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 ECAD 7310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M45PE80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、3ms
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AIT：c -
RFQ
 ECAD 8601 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT47H64M16HR-3 AAT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 AAT：h -
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 ECAD 1846年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A AAT：L TR -
RFQ
 ECAD 2043 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAFAH4-AITES：F Tr -
RFQ
 ECAD 9268 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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