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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M29F800DT55N6 | - |  | 7618 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 55 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 55ns | |||
 | MT29F32G08CBACAL73A3WC1 | - | | 1287 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 死ぬ | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 696 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT29VZZZAD8GQFSL-046 WJ.9R8 | - | | 4748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 557-MT29VZZZAD8GQFSL-046WJ.9R8 | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F512G08AUCBBK8-6：B TR | - | | 1568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F512G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT28F640J3FS-115 GMET | - | | 7090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
| MT35XL256ABA2G12-0AAT TR | - | | 5534 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | MT35XL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | xccelaバス | - | ||||
| MT62F1G32DS-023 AUT：b | 36.7350 | | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AUT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F256G08CKCABH2-10Z：a | - | | 1963年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F256G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-tbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | |||
 | N25Q064A13ESF42EE01 | - | | 3494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,400 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT29F512G08CMCABH7-6R：a | - | | 2311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-TBGA | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 152-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
| mtfc64gazaotd-ait tr | 33.5100 | | 8063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MTFC64GAZAOTD-AITTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT40A4G4VA-062E：B TR | - | | 5186 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （10x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT40A4G4VA-062E：Btr | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT51K256M32HF-70：b | - | | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V〜1.545V | - | ear99 | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | |||||||||
 | MT53D512M64D4NW-062 WT：d | - | | 5704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT47H128M8CF-25E AIT：h | - | | 7378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | バルク | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT46V64M4BG-6：GTR | - | | 8464 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | mt46v64m4 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-fbga （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A2G8JE-062E AAT：e | 17.1750 | | 8049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x11） | ダウンロード | 557-MT40A2G8JE-062EAAT：e | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 8 | ポッド | 15ns | |||||||
 | MT28F320J3RG-11 GMET | - | | 9132 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F320J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 110 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT48H4M16LFB4-10 IT | - | | 5035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT62F512M64D4EK-031 WT：B TR | 23.3100 | | 5944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F512M64D4EK-031WT：BTR | 1,500 | 3.2 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | 平行 | - | ||||||||
 | MT29F128G08AUABAC5：b | - | | 9929 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 52-VLGA | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 52-VLGA（18x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | |||||
| N25Q00AA11GSF40G | - | | 3822 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q00AA11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 2266-N25Q00AA11GSF40G | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,225 | 108 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 256m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
 | MT41K256M16TW-93：p | - | | 9347 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA （8x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,080 | 1.066 GHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||
| MT53D512M64D4SB-046 XT ES：e | - | | 8108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜105°C（TC） | - | - | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT25QL512ABB8E12-0AAT TR | 12.7800 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
 | MT41K2G4SN-125：TR | - | | 6634 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C（TA） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x13.2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 13.5 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | - | |||
 | MT48LC64M8A2TG-75：C Tr | - | | 7990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 （72 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| M50FW080N5 | - | | 2171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | M50FW080 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 250 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | - | ||
| N28H00EB03EDK34E | - | | 1068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
| M58LR256KB70ZC5W TR | - | | 7716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 79-VFBGA | M58LR256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 79-VFBGA （9x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 70ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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