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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H64M8CB-3：b | - |  | 4549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT62F3G32D8DV-023 AAT：b | 94.8300 | | 8369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜105°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AAT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 96gbit | ドラム | 3g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT53E512M64D2HJ-046 AUT：b | 37.9050 | | 2987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：b | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | 3.5 ns | ドラム | 512m x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT58V1MV18DT-7.5 | 18.9400 | | 318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | mt58v1mv18 | sram | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4.2 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | MT25QL256ABA8ESF-0AAT | 6.5500 | | 182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -MT25QL256ABA8ESF-0AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||
 | MT40A8G4BAF-062E：B TR | - | | 8262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA（10.5x11） | - | 557-MT40A8G4BAF-062E：BTR | 廃止 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 32gbit | 13.75 ns | ドラム | 8g x 4 | 平行 | - | ||||
 | PC28F256P30TFG | - | | 5004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 100ns | ||
| MT58L128L32F1T-7.5TR | 4.7200 | | 500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 113 MHz | 揮発性 | 4mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT53E1G32D4NQ-046 WT：e | - | | 2666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E1G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||||||
| EDFA164A2MA-JD-FR TR | - | | 4849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| N25Q128A11EV740 | - | | 2083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | - | - | N25Q128A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | - | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
 | MT46H128M32L2KQ-5それ：a | - | | 3524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H128M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5 ns | ドラム | 128m x 32 | 平行 | 15ns | ||
 | MT47H64M16HR-3 AIT：h | - | | 5505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT46H64M32LFCX-5 at：b | - | | 2590 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
 | mtfc8gamalbh-ait es | - | | 3376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA （11.5x13 | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
| mt29az5a3chhtb-18ait.109 tr | 10.3350 | | 5453 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29az5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ5A3CHHTB-18AIT.109TR | 3,000 | |||||||||||||||||
| mt29az2b1bhgtn-18it.111 tr | - | | 9721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | mt29az2 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT29AZ2B1BHGTN-18IT.111TTR | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT47H128M8CF-3：h | - | | 3108 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F | 12.3100 | | 6177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F256G08EBHCFB16E3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT54W1MH18JF-5 | 23.6300 | | 75 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 450 PS | sram | 1m x 18 | HSTL | - | |||
 | M29F400BB70N1 | - | | 4654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F512G08AUCBBH8-6IT：B Tr | - | | 6354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 152-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
| MT55L1MY18PT-6 | 18.9400 | | 233 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | mt55l1my | sram- zbt | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
| edfa164a2pm-jdtj-fr tr | - | | 4706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| MT57W2MH8BF-7.5 | 23.0000 | | 22 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 500 PS | sram | 2m x 8 | HSTL | - | |||
| MT62F2G32D4DS-023 WT ES：B TR | 45.6900 | | 9713 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023WTES：BTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT58L64L18DT-7.5 | 7.0500 | | 449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 1mbit | 4.2 ns | sram | 64k x 18 | 平行 | - | |||
| RD48F4400P0VBQEJ | - | | 7658 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 88-TFBGA 、CSPBGA | RD48F4400 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 88-scsp（ 8x11） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -RD48F4400P0VBQEJ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,056 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 100ns | |
 | mtfc32gapalna-aat es | - | | 4700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 100-TBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F32G08ABEDBJ4-12：D TR | - | | 9731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F32G08ABEDBJ4-12：DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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