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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mt53d4dcnz-dc tr | - |  | 8990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| MT43A4G40200NFA-S15 ES：a | - | | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT43A4 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | ||||||||||||||||
 | MT41K512M8DA-107：p | 7.0200 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
| mt53b4dbez-dc tr | - | | 4743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | - | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||
 | mt45w8mw16bgx-701 wt tr | - | | 6926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 54-VFBGA | MT45W8MW16 | psram（pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 128mbit | 70 ns | psram | 8m x 16 | 平行 | 70ns | ||
 | MT28F800B3SG-9 TET TR | - | | 7184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F800B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 90ns | |||
 | mt46v64m8fn-6 it：f tr | - | | 6683 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
| MT53E384M32D2FW-046AIT：E TR | 10.7700 | | 1894年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ダウンロード | 557-MT53E384M32D2FW-046AIT：ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q016A11EF640F TR | - | | 9842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25Q016A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 8ms、1ms | ||||
| MT28F800B5SG-8 T TR | - | | 3929 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） | MT28F800B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 80ns | |||
 | mt28f800b5wg-8 t tr | - | | 4555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT28F800B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 80 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 80ns | |||
| MT41K512M8RG-107：N TR | - | | 5788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （7.5x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT48LC32M8A2P-6A：D TR | - | | 5803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC32M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | 12ns | ||
 | mtfc16gakaejp-5m ait | - | | 1063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.9V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| EDFA364A3MA-GD-FD | - | | 2020 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA364 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,520 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||
| mt53e4d1beg-dc tr | - | | 3922 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | mt53e4 | - | 557-MT53E4D1BEG-DCTR | 廃止 | 2,000 | |||||||||||||||||||
 | PC28F160C3TD70A | - | | 7396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F160 | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 70ns | |||
| PC28F064M29EWLA | - | | 2814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||
 | MT41J128M16JT-107：K Tr | - | | 3302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
 | MT48LC2M32B2B5-7：g | - | | 2303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC2M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA （8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 14ns | ||
| MT40A8G4CLU-062H：e | - | | 4974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | 557-MT40A8G4CLU-062H：e | 廃止 | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 32gbit | 13.75 ns | ドラム | 8g x 4 | 平行 | - | ||||
 | M25P40-VMW6GB | - | | 6966 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | M25P40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SO w | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
| EDF840AAABH-GD-FD | - | | 9954 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,600 | |||||||||||||||||
 | PF38F5060M0Y0BEA | - | | 9732 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | 105-TFBGA 、CSPBGA | 38F5060M0 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 105フラッシュSCSP | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 96ns | ||
 | MT29F4G08ABBFAH4-AATES：F Tr | - | | 3937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
 | mtfc16gjvec-2m wt | - | | 1335 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-VFBGA | mtfc16g | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||
| N25Q064A11E5340F TR | - | | 6921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-xfbga | N25Q064A11 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-XFSCSP（2.93x3.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
| MT29C1G12MAAJVAKC-5 IT | - | | 6677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | MT29C1G12M | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,140 | |||||||||||||||||
| mt29c8g48mazapbja-5 it tr | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 137-TFBGA | MT29C8G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-TFBGA（10.5x13） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||||
| EDF8164A3PK-GD-FR TR | - | | 6235 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 216-WFBGA | EDF8164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | 216-FBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 128m x 64 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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