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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT40A1G8SA-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AAT：e 10.1250
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G8SA-062EAAT：e ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT25QU128ABB8E57-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABB8E57-CSIT TR -
RFQ
 ECAD 4566 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - 1.7V〜2V - - 影響を受けていない 557-MT25QU128ABB8E57-CSITTR 1 166 MHz 不揮発性 128mbit 5 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 1.8ms
MTFC8GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait tr -
RFQ
 ECAD 4672 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AUT：B TR 13.3464
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046AUT：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 WT：a -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E1536M32D4DT-046WT：a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT46V32M16FN-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B：C Tr -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
M25PE40-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PE40-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25PE40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、3ms
MT29F1HT08ELCBBG1-37:B TR Micron Technology Inc. MT29F1HT08ELCBBG1-37：B TR -
RFQ
 ECAD 1987年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 272-VFBGA MT29F1HT08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 272-VBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MT58L1MY18PF-7.5 Micron Technology Inc. MT58L1MY18PF-7.5 18.9400
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA mt58l1my18 sram 3.135V〜3.465V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 1m x 18 平行 -
MT58V1MV18DT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V1MV18DT-7.5 18.9400
RFQ
 ECAD 318 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp mt58v1mv18 sram 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 18mbit 4.2 ns sram 1m x 18 平行 -
PC28F256P30TFG Micron Technology Inc. PC28F256P30TFG -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT62F2G32D4DS-026 WT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 WT：C TR 45.6900
RFQ
 ECAD 6668 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F2G32D4DS-026WT：CTR 2,000
MT29F4T08EULEEM4-R:E TR Micron Technology Inc. mt29f4t08euleem4-r：e tr 85.8150
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C 表面マウント 132-BGA フラッシュ-Nand （TLC） 2.6V〜3.6V 132-lbga（12x18） - 557-MT29F4T08EULEEM4-R：ETR 2,000 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT：e -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT53E768M64D4SP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SP-046 WT：b 27.9300
RFQ
 ECAD 8776 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E768M64D4SP-046WT：b 1,360
RC28F256P30TFE Micron Technology Inc. RC28F256P30TFE -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -RC28F256P30TFE 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 16m x 16 平行 100ns
MT58L32L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-8.5 5.8800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 1mbit 8.5 ns sram 32K x 32 平行 -
N25Q512A81GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A81GSF40G -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A81 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,225 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
EDFA164A2MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT58L128L32F1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5TR 4.7200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT29F8G08ABBCAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4：c -
RFQ
 ECAD 3115 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT25QL256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0AAT 6.5500
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT25QL256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT35XU512ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0AUT 15.8400
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 6665 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 AUT：b 37.9050
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：b 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 512m x 64 平行 18ns
MT40A8G4BAF-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E：B TR -
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA（10.5x11） - 557-MT40A8G4BAF-062E：BTR 廃止 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 不揮発性 32gbit 13.75 ns ドラム 8g x 4 平行 -
MT25QL256ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-0AAT TR 5.4450
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC128GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-ait 40.2300
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAZAOTD-AIT 1
MT53E4D1ADE-DC Micron Technology Inc. mt53e4d1ade-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1ADE-DC 1,360
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX：D TR 5.1251
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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