SIC
close

メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT58L32L32FT-8.5 Micron Technology Inc. MT58L32L32FT-8.5 5.8800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 1mbit 8.5 ns sram 32K x 32 平行 -
N25Q512A81GSF40G Micron Technology Inc. N25Q512A81GSF40G -
RFQ
 ECAD 5994 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A81 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,225 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
EDFA164A2MA-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2MA-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4849 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
MT58L128L32F1T-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5TR 4.7200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT29F8G08ABBCAH4:C Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4：c -
RFQ
 ECAD 3115 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT25QL256ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-0AAT 6.5500
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT25QL256ABA8ESF-0AAT 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT35XU512ABA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU512ABA2G12-0AUT 15.8400
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 24-tbga mt35xu512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 xccelaバス -
MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 6665 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 AUT：b 37.9050
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT：b 1 2.133 GHz 揮発性 32gbit 3.5 ns ドラム 512m x 64 平行 18ns
MT40A8G4BAF-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A8G4BAF-062E：B TR -
RFQ
 ECAD 8262 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA（10.5x11） - 557-MT40A8G4BAF-062E：BTR 廃止 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 不揮発性 32gbit 13.75 ns ドラム 8g x 4 平行 -
MT25QL256ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8E12-0AAT TR 5.4450
RFQ
 ECAD 9936 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC128GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gazaotd-ait 40.2300
RFQ
 ECAD 4558 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAZAOTD-AIT 1
MT53E4D1ADE-DC Micron Technology Inc. mt53e4d1ade-dc 22.5000
RFQ
 ECAD 2279 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1ADE-DC 1,360
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-AITX：D TR 5.1251
RFQ
 ECAD 4720 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F8G01ADAFD12-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-ITS：F TR -
RFQ
 ECAD 9998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - MT29F8G01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 8g x 1 spi -
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08CTHBBM5-3R：B TR -
RFQ
 ECAD 7146 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F4T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 平行 -
MT29F8G08ABABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F8G080808ABABAWP：b -
RFQ
 ECAD 8461 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
MT40A2G4SA-062E:J Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E：J -
RFQ
 ECAD 3080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A2G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 2g x 4 平行 15ns
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W ES.G7A TR Micron Technology Inc. mt29vzzz7d7hqkwl-062 w es.g7a tr -
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 mt29vzzz7 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,000
MT53E4D1AHJ-DC TR Micron Technology Inc. mt53e4d1ahj-dc tr 22.5000
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt53e4 - 影響を受けていない 557-MT53E4D1AHJ-DCTR 2,000
EDF8132A3PK-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PK-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 4988 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 9759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53E768M32D4DT-053 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AUT：E TR 50.2500
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 影響を受けていない 557-MT53E768M32D4DT-053AUT：ETR 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
EMFM432A1PH-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMFM432A1PH-DV-FR TR -
RFQ
 ECAD 2626 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ EMFM432 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,000
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 6100 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT62F1G64D4ZV-026 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-026 WT：B TR 37.2450
RFQ
 ECAD 4064 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 1.05V - - 557-MT62F1G64D4ZV-026WT：BTR 2,500 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
PC48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB00A -
RFQ
 ECAD 8929 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-lbga PC48F4400 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 512mbit 85 ns フラッシュ 32m x 16 平行 85ns
MT48LC2M32B2P-5:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-5：G TR -
RFQ
 ECAD 9534 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC2M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 4.5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16666ABBEAH4-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 3128 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 128m x 16 平行 -
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AAT：e 15.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053AAT：e ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます