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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mtfc64gajaece-aat tr | - |  | 9039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 1 （無制限） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT48LC4M32B2P-6A：L TR | - | | 1200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 12ns | |||
 | NAND16GW3F2AN6E | - | | 2523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | NAND16G | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | -NAND16GW3F2AN6E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | 不揮発性 | 16gbit | 25 ns | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | 25ns | |||
 | MT42L256M64D4EV-25 WT：a | - | | 3515 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 253-TFBGA | MT42L256M64 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | 253-FBGA （11x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||||
 | MT48H8M16LFB4-75 IT：K Tr | - | | 3209 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
| mt53b4dapv-dc | - | | 6064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | - | - | mt53b4 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | - | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 840 | 揮発性 | ドラム | |||||||||||||
 | MT40A2G4SA-062E PS：R | - | | 1842年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A2G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A2G4SA-062EPS：R | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 2g x 4 | 平行 | 15ns | ||||
| MT47H256M8THN-25E：m | - | | 7950 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 63-fbga （8x10） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,518 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
 | MT29F64G08CBCDBJ4-6ITR：d | - | | 8344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 167 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT40A8G4VNE-062H：B TR | 80.8350 | | 8852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | MT40A8G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A8G4VNE-062H：BTR | 8542.32.0071 | 3,000 | 1.6 GHz | 不揮発性 | 32gbit | 13.75 ns | ドラム | 8g x 4 | 平行 | - | |||||||
| EMFA164A2PM-DV-FR TR | - | | 2782 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | EMFA164 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT62F1G64D4EK-023 WT：b | 45.6900 | | 3879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 441-TFBGA | - | 557-MT62F1G64D4EK-023WT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | 平行 | - | |||||||||
| MT60B1G16HC-48B IT：a | 18.2400 | | 6035 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 102-VFBGA | SDRAM -DDR5 | - | 102-VFBGA （9x14 | - | 557-MT60B1G16HC-48ビット：a | 1 | 2.4 GHz | 揮発性 | 16gbit | 16 ns | ドラム | 1g x 16 | ポッド | - | ||||||||
| MT53B512M64D4PV-053 WT：c | - | | 7048 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 840 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT58L64L32PT-6TR | 3.5200 | | 55 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | 適用できない | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 166 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 32 | 平行 | - | ||||
 | M25PE10-VMN6TPBA TR | - | | 7813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | M25PE10 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 15ms、3ms | |||||
 | MT29F32G08CBADAWP-M：d | - | | 1811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F32G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT25QU256ABA8E14-1SIT TR | - | | 8846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
| MT29E512G08CEHBBJ4-3：b | - | | 7811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29E512G08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
 | MT29F1G01ABAFDSF-IT：F | - | | 9701 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT29F1G01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 1g x 1 | spi | - | |||||
 | MT29F64G08AKCCBH2-10Z：c | - | | 4264 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-TBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-TBGA（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
 | mt29c4g48mazbbakb-48 it | 11.8650 | | 3556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,008 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit（nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| mt29c8g96maafbackd-5 wt | - | | 2136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | - | MT29C8G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 8gbit（nand | フラッシュ、ラム | 512M x 16 | 平行 | - | |||||
| EDFA164A2PM-JDTJ-FD | - | | 1435 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | |||||
| MT53E768M64D4HJ-046 AUT：c | 73.6500 | | 9576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA（12.4x12.4 | - | 557-MT53E768M64D4HJ-046AUT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||||
 | MT29F2T08CTCCBJ7-6C：C Tr | - | | 2504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 152-lbga | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 152-lbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT29F2T08CTCCBJ7-6C：CTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | ||||
| MT29F16G08CBACBWP-12：c | - | | 6924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F16G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | 不揮発性 | 16gbit | フラッシュ | 2g x 8 | 平行 | - | |||||
| M29W400FT55N3F TR | - | | 6076 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | M29W400 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
 | mtfc128gazaqjp-ait tr | 57.4500 | | 3514 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAZAQJP-AITTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||
| EDFP112A3PB-GD-FD | - | | 7362 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 800 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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