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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MTFC32GJDED-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjded-4m it tr -
RFQ
 ECAD 7445 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT58L64L32FT-10TR Micron Technology Inc. MT58L64L32FT-10TR 5.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 66 MHz 揮発性 2mbit 10 ns sram 64k x 32 平行 -
MT45W4MW16PBA-70 WT TR Micron Technology Inc. mt45w4mw16pba-70 wt tr -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT45W1MW16PAFA-85 WT Micron Technology Inc. MT45W1MW16PAFA-85 WT -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W1MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 85 ns psram 1m x 16 平行 85ns
MT48LC64M8A2TG-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 L：c -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR Micron Technology Inc. MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR -
RFQ
 ECAD 6970 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT60B1G16HC-48B IT:A TR Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-48B IT：A TR 18.2400
RFQ
 ECAD 9769 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 102-VFBGA SDRAM -DDR5 - 102-VFBGA （9x14 - 557-MT60B1G16HC-48ビット：ATR 3,000 2.4 GHz 揮発性 16gbit 16 ns ドラム 1g x 16 ポッド -
MTFC64GBCAQDQ-AAT Micron Technology Inc. mtfc64gbcaqdq-aat 29.4000
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC64GBCAQDQ-AAT 1
MT40A1G8SA-062E IT:J Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E IT：J -
RFQ
 ECAD 6639 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT40A1G8SA-062EIT：j ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MTFC128GAXATHF-WT TR Micron Technology Inc. mtfc128gaxathf-wt tr 14.0250
RFQ
 ECAD 4265 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MTFC128GAXATHF-WTTR 2,000
MT45W4MW16PFA-70 WT Micron Technology Inc. mt45w4mw16pfa-70 wt -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 48-VFBGA MT45W4MW16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 70ns
MT47H128M8SH-25E IT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E IT：M -
RFQ
 ECAD 2641 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,518 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB-10 IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9362 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM- lPSDR 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 100 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT40A2G8JE-062E AUT:E TR Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AUT：E TR 24.0300
RFQ
 ECAD 1958年年 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11） ダウンロード 557-MT40A2G8JE-062EAUT：ETR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 2g x 8 ポッド 15ns
MT41J64M16JT-187E:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-187E：G Tr -
RFQ
 ECAD 3164 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT48V8M16LFF4-8 IT:G Micron Technology Inc. MT48V8M16LFF4-8 IT：G -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA mt48v8m16 SDRAM- lPSDR 2.3V〜2.7V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT29F32G08ABEDBM83C3WC1 Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEDBM83C3WC1 -
RFQ
 ECAD 5545 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3A991B1A 8542.32.0071 1 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
M29W400DB55N6E Micron Technology Inc. M29W400DB55N6E -
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8ESF-0SIT TR 3.2342
RFQ
 ECAD 3142 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC4GLGDM-AIT A Micron Technology Inc. mtfc4glgdm-ait a -
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない mtfc4glgdm-aita 廃止 8542.32.0071 1,520 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT46V32M16CY-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B IT：J 6.4328
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MT58L256L32DS-6 Micron Technology Inc. MT58L256L32DS-6 18.8000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 32 平行 -
MT29F2G01ABAGD12-IT:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGD12-IT：g -
RFQ
 ECAD 6946 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT29F2G01ABAGD12-IT：GTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 83 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R：B TR -
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
ECF440AACCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 2247 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 ECF440 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1
MT29F1T08EBLCHD4-M:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-M：C Tr 20.9850
RFQ
 ECAD 4026 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-M：CTR 2,000
MT47H32M16NF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E：H Tr 3.4998
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT47H32M16NF-25E：HTR ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
N25Q128A13EV741 Micron Technology Inc. N25Q128A13EV741 -
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - N25Q128A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 32m x 4 spi 8ms、5ms
MT46V64M4TG-6T:G TR Micron Technology Inc. mt46v64m4tg-6t：g tr -
RFQ
 ECAD 4664 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT46V32M16BN-6:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-6：C Tr -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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