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メモリ（10402）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
MTFC4GACAJCN-1M WT	-	RFQ	3850	Micron Technology Inc.	E•MMC™	トレイ	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-VFBGA	mtfc4	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		不揮発性	32gbit		フラッシュ	4g x 8	MMC	-
MT53B256M32D1DS-062 AAT：c	-	RFQ	7944	Micron Technology Inc.	aec-q100	トレイ	廃止	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA	MT53B256	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-WFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,360		揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	-	-	確認されていません
MT46H64M32LFCX-5 at：b	-	RFQ	2590	Micron Technology Inc.	-	バルク	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	90-VFBGA	MT46H64M32	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-VFBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	揮発性	2Gbit	5 ns	ドラム	64m x 32	平行	15ns
MT29F4T08CTHBBM5-3C：b	-	RFQ	5036	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	-	-	MT29F4T08	フラッシュ -ナンド	2.5V〜3.6V	-	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない			0000.00.0000	1,000	333 MHz	不揮発性	4tbit		フラッシュ	512g x 8	平行	-
MT44K32M18RB-107：a	-	RFQ	7549	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	168-TBGA	MT44K32M18	ドラム	1.28V〜1.42V	168-BGA（13.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0024	1,000	933 MHz	揮発性	576mbit	10 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
MT40A256M16GE-083E：b	-	RFQ	7032	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	MT40A256M16	SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （9x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1	1.2 GHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
MT49H16M36SJ-25 IT：B TR	-	RFQ	6803	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	MT49H16M36	ドラム	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0028	1,000	400 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	16m x 36	平行	-
MT46V64M4TG-75：G TR	-	RFQ	6890	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	mt46v64m4	SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-tsop	ダウンロード	ROHS非準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	133 MHz	揮発性	256mbit	750 PS	ドラム	64m x 4	平行	15ns
N25Q128A11EV740	-	RFQ	2083	Micron Technology Inc.	-	バルク	廃止	-40°C〜85°C（タタ	-	-	N25Q128A11	フラッシュ -	1.7V〜2V	-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1	108 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	32m x 4	spi	8ms、5ms
mt53e1dbds-dc	22.5000	RFQ	5534	Micron Technology Inc.	-	バルク	アクティブ				mt53e1				-			影響を受けていない	557-MT53E1DBDS-DC			1,360
MT58L256L36PT-6	8.9300	RFQ	2	Micron Technology Inc.	Syncburst™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	MT58L256L36	sram-同期	3.135V〜3.6V	100-TQFP（14x20.1	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	揮発性	8mbit	3.5 ns	sram	256k x 36	平行	-
MT54W2MH8BF-6	33.0600	RFQ	698	Micron Technology Inc.	QDR®	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA		sram-同期	1.7V〜1.9V	165-FBGA	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1	167 MHz	揮発性	18mbit	500 PS	sram	2m x 8	HSTL	-
MT29F128G08CECABH1-10Z：a	-	RFQ	8681	Micron Technology Inc.	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-VBGA	MT29F128G08	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	100-VBGA（12x18）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	平行	-
MT55V512V36FT-8.8	17.3600	RFQ	480	Micron Technology Inc.	ZBT®	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	MT55V512V	sram- zbt	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x20.1	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1	113 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
MT49H8M36SJ-25：b	-	RFQ	6047	Micron Technology Inc.	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	144-TFBGA	MT49H8M36	ドラム	1.7V〜1.9V	144-FBGA（18.5x11）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0028	1,120	400 MHz	揮発性	288mbit	20 ns	ドラム	8m x 36	平行	-
M28W640FST70ZA6E	-	RFQ	8695	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-TBGA	M28W640	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-TBGA （10x13	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	136		不揮発性	64mbit	70 ns	フラッシュ	4m x 16	平行	70ns
M29W640GB6AZA6F TR	-	RFQ	8616	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-TFBGA	M29W640	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		不揮発性	64mbit	60 ns	フラッシュ	8m x 8、4m x 16	平行	60ns
MT45W256KW16BEGB-708 WT TR	-	RFQ	7226	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-30°C〜85°C （TC）	表面マウント	54-VFBGA	MT45W256KW16	psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V	54-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	4mbit	70 ns	psram	256k x 16	平行	70ns
mt48lc4m32b2p-6 it：g	-	RFQ	6550	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	MT48LC4M32B2	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	2（1 年）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	167 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 32	平行	12ns
M29W640GSL70ZF6E	-	RFQ	6095	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-TBGA	M29W640	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	64-TBGA （10x13	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	816		不揮発性	64mbit	70 ns	フラッシュ	8m x 8、4m x 16	平行	70ns
mt53b2danw-dc	-	RFQ	9952	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止		-	-		SDRAM-モバイルLPDDR4		-	-		1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1,190		揮発性			ドラム
mt46v64m8bn-5b：f	-	RFQ	9066	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	mt46v64m8	SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	60-FBGA （10x12.5	ダウンロード	ROHS非準拠	5 （48 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
N25Q128A11TF840F TR	-	RFQ	7597	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-vdfn露出パッド	N25Q128A11	フラッシュ -	1.7V〜2V	8-VDFPN	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	108 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi	8ms、5ms
MT53D512M32D2NP-046 AIT：D TR	-	RFQ	7946	Micron Technology Inc.	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA	MT53D512	SDRAM-モバイルLPDDR4	1.1V	200-WFBGA （10x14.5	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			廃止	0000.00.0000	2,000	2.133 GHz	揮発性	16gbit		ドラム	512m x 32	-	-
mtfc16glwdm-4m ait z	-	RFQ	8679	Micron Technology Inc.	E•MMC™	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	153-TFBGA	mtfc16g	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	153-TFBGA （11.5x13	-			影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,520		不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	MMC	-
MT29F4G16ABBDAH4：d	-	RFQ	5399	Micron Technology Inc.	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	63-VFBGA	MT29F4G16	フラッシュ -ナンド	1.7V〜1.95V	63-VFBGA （9x11）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,260		不揮発性	4gbit		フラッシュ	256m x 16	平行	-
MT29F2G01ABBGDM79A3WC1	-	RFQ	6599	Micron Technology Inc.	-	バルク	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	死ぬ	MT29F2G01	フラッシュ-nand（slc）	1.7V〜1.95V	死ぬ	-					廃止		1		不揮発性	2Gbit		フラッシュ	2g x 1	spi	-
M25PE10-VMP6G	-	RFQ	7470	Micron Technology Inc.	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-vdfn露出パッド	M25PE10	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-VDFPN	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0071	490	75 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi	15ms、3ms
MT53E1G64D4NZ-046 WT：c	42.4500	RFQ	8812	Micron Technology Inc.	-	箱	アクティブ	-25°C〜85°C（TC）	表面マウント	376-WFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR4X	1.06V〜1.17V	376-WFBGA（14x14）	ダウンロード				557-MT53E1G64D4NZ-046WT：c			1	2.133 GHz	揮発性	64gbit	3.5 ns	ドラム	1g x 64	平行	18ns
MT58L64L32PT-10TR	3.5700	RFQ	84	Micron Technology Inc.	Syncburst™	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp		sram-標準	3.135V〜3.6V	100-TQFP（14x20.1	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	500	100 MHz	揮発性	2mbit	5 ns	sram	64k x 32	平行	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（10402）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²