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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT62F2G64D8EK-023 FAAT:C Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 FAAT：c 126.4350
RFQ
 ECAD 7655 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 441-TFBGA - 557-MT62F2G64D8EK-023FAAT：c 1 4.266 GHz 揮発性 128GBIT ドラム 2g x 64 平行 -
M29W400DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W400DT70ZE6E -
RFQ
 ECAD 2237 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-TFBGA （6x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,122 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAH4-AAT：g 2.7962
RFQ
 ECAD 1484 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABBGAH4-AAT：g 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit 30 ns フラッシュ 256m x 8 平行 30ns
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR 18.8100
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
MT25QL128ABA8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-0SIT 4.3500
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT46V64M4BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-5B：GTR -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MTFC64GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-wt tr 26.6550
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC64GAZAQHD-WTTR 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
EDF620AAABH-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF620AAABH-GD-FD -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,360
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2B5-6A AAT：L 9.7800
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0002 1,440 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
MT46V32M16P-75 L:C Micron Technology Inc. MT46V32M16P-75 L：c -
RFQ
 ECAD 7115 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop - ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 1688 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-wfbga EDB4432 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 -
MTFC32GAPALNA-AAT ES Micron Technology Inc. mtfc32gapalna-aat es -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 100-TBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 100-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
EDFA112A2PD-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA112A2PD-JD-FD -
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDFA112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,190 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 128m x 128 平行 -
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-AAT：D TR -
RFQ
 ECAD 7916 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT：B TR -
RFQ
 ECAD 1943年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEDBJ4-12：D TR -
RFQ
 ECAD 9731 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F32G08ABEDBJ4-12：DTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT40A4G4NEA-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A4G4NEA-062E：R Tr 21.7650
RFQ
 ECAD 2159 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - 557-MT40A4G4NEA-062E：RTR 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 4g x 4 平行 15ns
MT41K1G8TRF-125:E TR Micron Technology Inc. MT41K1G8TRF-125：E TR -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA mt41k1g8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9.5x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 8gbit 13.5 ns ドラム 1g x 8 平行 -
MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 10.1850
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 149-WFBGA フラッシュnand（ slc ）、 dram -lpddr4 1.06V〜1.17V 149-WFBGA （8x9.5） ダウンロード 557-MT29GZ5A3BPGGA-046IT.87K 1 不揮発性、揮発性 4gbit 25 ns フラッシュ、ラム 512m x 8 onfi 30ns
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2DS-046 AAT：D TR -
RFQ
 ECAD 6871 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR Micron Technology Inc. mt29pzzz4d4wketf-18 w.6e4 tr -
RFQ
 ECAD 2016年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT46V256M4P-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4P-75：a -
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V256M4 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 256m x 4 平行 15ns
JS28F00AP33EF0 Micron Technology Inc. JS28F00AP33EF0 -
RFQ
 ECAD 5034 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） JS28F00AP33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 40 MHz 不揮発性 1gbit 105 ns フラッシュ 64m x 16 平行 105ns
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT：D TR -
RFQ
 ECAD 1266 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53D4DDFL-DC Micron Technology Inc. MT53D4DDDDFL-DC -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 1,120
MT48LC16M8A2P-7E:L TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E：L TR -
RFQ
 ECAD 7310 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC16M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 16m x 8 平行 14ns
MT28EW01GABA1HJS-0SIT Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HJS-0SIT -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -MT28EW01GABA1HJS-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
MT53B2DATG-DC Micron Technology Inc. mt53b2datg-dc -
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 960
EDFP112A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP112A3PB-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1127 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C（TA） - - EDFP112 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 800 MHz 揮発性 24Gbit ドラム 192m x 128 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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