画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT41K128M8JP-15E:g | - | ![]() | 8871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (8x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.5 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT42L16M32D1AC-25 AIT:a | - | ![]() | 2792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc128gajaedn-ait tr | - | ![]() | 5872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||
![]() | MT29E2T08CUHBBM4-3:b | - | ![]() | 9927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | MT42L16M32D1U67MWC2 | - | ![]() | 9867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | |||||||||
![]() | MT28FW02GBBA1HPC-0AAT | 40.5300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | MT28FW02 | フラッシュ - | 1.7V〜3.6V | 64-lbga(11x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1,104 | 不揮発性 | 2Gbit | 105 ns | フラッシュ | 128m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | MT46H16M32LFCX-6:b | - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT46H16M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT62F2G32D4DS-026 WT:c | 45.6900 | ![]() | 7312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F2G32D4DS-026WT:c | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | EDFB232A1MA-JD-FR TR | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFB232 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR | 4.2282 | ![]() | 1984年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT41K256M16V80AWC1 | - | ![]() | 3634 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | - | - | MT41K256M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | mtfc64ganalam-wt tr | - | ![]() | 1412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | - | mtfc64 | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MTFC64GANALAM-WTTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||
![]() | MT53B256M32D1NP-062 WT ES:c | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||||
![]() | MT57W1MH18JF-5 | 25.3300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 450 PS | sram | 1m x 18 | HSTL | - | |||
![]() | EDFP164A3PD-MD-FR TR | - | ![]() | 7413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | - | EDFP164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 1067 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | 平行 | - | ||||
MT25QL256ABA8E12-0AUT TR | 6.2100 | ![]() | 7491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | MT25QL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT25QL256ABA8E12-0AUTTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi | 1.8ms | |||
![]() | mt46v64m8bn-75 it:d tr | - | ![]() | 9538 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | - | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
MT48H4M16LFF4-10 | - | ![]() | 9173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 104 MHz | 揮発性 | 64mbit | 7 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | 15ns | |||
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR | - | ![]() | 9505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48H8M16 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 128mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | mt46v64m8fn-75:d | - | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 750 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | N25Q064A13ESFH0F TR | - | ![]() | 2553 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | N25Q064A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||
MT35XU02GCBA1G12-0AAT | 39.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xu02 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | ||||
![]() | MT48LC8M16A2TG-7E:G TR | - | ![]() | 5861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 14ns | ||
nand128w3aabn6f tr | - | ![]() | 5654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | NAND128 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,500 | 不揮発性 | 128mbit | 50 ns | フラッシュ | 16m x 8 | 平行 | 50ns | |||||
![]() | N25Q064A11ESE40E | - | ![]() | 8897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | N25Q064A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SO | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,800 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 16m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
![]() | MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR | - | ![]() | 7302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC8M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | MT29F4G08ABBDAHC-AIT:d | - | ![]() | 8080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA(10.5x13) | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B Tr | - | ![]() | 3374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | - | - | MT29E1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | mtfc4gludm-ait tr | - | ![]() | 9788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
![]() | MT29F2G08ABAEAH4-ITX:e | - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - |
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