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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A512M8SA-062E IT：F | 9.1650 |  | 4992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT40A512M8SA-062EIT：f | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 19 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
 | MT29F8G08ABACAWP：c | - | | 5952 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F8G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT29F8T08EWLCEM5-QJ：C Tr | 242.1750 | | 1924年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：CTR | 1,500 | |||||||||||||||||||||
| EDFA164A2PH-GD-FD | - | | 2625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,190 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | 平行 | - | ||||
| EDFA112A2PD-JD-FR TR | - | | 2160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | EDFA112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 128m x 128 | 平行 | - | ||||
| MT62F768M64D4EJ-031 AUT：a | 118.2000 | | 5019 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | MT62F768 | - | 影響を受けていない | 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：a | 1,190 | |||||||||||||||||||
 | MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR | - | | 7677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 130-VFBGA | MT29C1G12 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 130-VFBGA （8x9） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 1gbit（nand | フラッシュ、ラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
| MT53E2G32D8QD-053 WT：e | - | | 5906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | |||||||||
 | MT53D512M32D2NP-062 WT ES：D | - | | 3944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | |||||
 | MT29F1G08ABBDAH4-IT：d | - | | 3157 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
| EDFP164A3PD-JD-FD | - | | 8748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C（TA） | 表面マウント | - | EDFP164 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 384m x 64 | 平行 | - | |||
| MT29F64G08AFAAAWP-IT：a | - | | 4356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | |||||
| mtfc8gamalbh-it tr | - | | 9747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 557-MTFC8GAMALBH-ITTR | 廃止 | 2,000 | ||||||||||||||||||
 | mtfc8glwdq-3m ait z tr | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | mtfc8 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（14x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | mtfc128gajaece-ait | - | | 4236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
 | MT29F2T08EMHAFJ4-3R：a | - | | 1886年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F2T08 | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.5V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 557-MT29F2T08EMHAFJ4-3R：a | 廃止 | 8542.32.0071 | 112 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||
 | MT42L16M32D1LG-25 AAT：a | - | | 2726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 168-wfbga | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||||
 | MT47H32M16NF-25E IT：H TR | 5.9700 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT62F4G32D8DV-026 AIT：b | 114.9600 | | 2210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜95°C | - | - | SDRAM- lpddr5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-026AIT：b | 1 | 3.2 GHz | 揮発性 | 128GBIT | ドラム | 4g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT53E1G32D2NP-046 WT：b | 18.6300 | | 8248 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT53E1G32D2NP-046WT：b | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | ||||
| MT29F4G16ABADAH4-IT：d | - | | 7699 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
| MT25QL256BBB8ESF-CSIT TR | 5.8438 | | 7271 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | - | 557-MT25QL256BBB8ESF-CSITTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 1.8ms | |||||||
 | MT55L128L32P1T-10 | 5.9300 | | 24 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lqfp | SRAM -ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | 揮発性 | 4mbit | 5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
 | MT57W1MH18JF-4 | 25.3300 | | 153 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | mt57w1mh | SRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
 | N25Q512A13GSFH0E | - | | 1024 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | N25Q512A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SO | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,440 | 108 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 128m x 4 | spi | 8ms、5ms | ||||
| MT41K128M8JP-15E：g | - | | 8871 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 13.5 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT42L16M32D1AC-25 AIT：a | - | | 2792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||||
| mtfc128gajaedn-ait tr | - | | 5872 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-lfbga | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | ||||
| MT29E2T08CUHBBM4-3：b | - | | 9927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29E2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 333 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||||
| MT42L16M32D1U67MWC2 | - | | 9867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | MT42L16M32 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.3V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 揮発性 | 512mbit | ドラム | 16m x 32 | 平行 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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