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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT48H4M16LFF4-10 Micron Technology Inc. MT48H4M16LFF4-10 -
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 ECAD 9173 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H4M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 104 MHz 揮発性 64mbit 7 ns ドラム 4m x 16 平行 15ns
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR Micron Technology Inc. MT48H8M16LFB4-8 IT：J TR -
RFQ
 ECAD 9505 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48H8M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.9V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 125 MHz 揮発性 128mbit 7 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
MT46V64M8FN-75:D Micron Technology Inc. mt46v64m8fn-75：d -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 750 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
N25Q064A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFH0F TR -
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 ECAD 2553 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT35XU02GCBA1G12-0AAT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA1G12-0AAT 39.2300
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 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela™-MT35X トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 24-tbga mt35xu02 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,122 200 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 xccelaバス -
MT48LC8M16A2TG-7E:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2TG-7E：G TR -
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 ECAD 5861 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 14ns
NAND128W3AABN6F TR Micron Technology Inc. nand128w3aabn6f tr -
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 ECAD 5654 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND128 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,500 不揮発性 128mbit 50 ns フラッシュ 16m x 8 平行 50ns
N25Q064A11ESE40E Micron Technology Inc. N25Q064A11ESE40E -
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 ECAD 8897 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） N25Q064A11 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,800 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 8ms、5ms
MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75 IT：G TR -
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 ECAD 7302 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAHC-AIT：d -
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 ECAD 8080 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E1HT08ELHBBG1-3ES：B Tr -
RFQ
 ECAD 3374 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E1HT08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1.5tbit フラッシュ 192g x 8 平行 -
MTFC4GLUDM-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc4gludm-ait tr -
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 ECAD 9788 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 169-TFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITX：e -
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 ECAD 3660 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
MT53D768M64D8WF-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 1 （無制限） ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFMA-6 WT：B TR -
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 ECAD 6820 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 168-wfbga MT46H64M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 64m x 32 平行 15ns
MT62F2G32D4DS-023 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT：b 58.0650
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 ECAD 8547 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ - 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT：b 1 4.266 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 平行 -
MT62F2G64D8EK-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-026AAT：B TR 126.4350
RFQ
 ECAD 4986 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT62F2G64D8EK-026AAT：BTR 2,000
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CMCBBJ4-37：b -
RFQ
 ECAD 9605 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 267 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
MT40A4G4SA-062E PS:F Micron Technology Inc. MT40A4G4SA-062E PS：F -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT40A4G4 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A4G4SA-062EPS：f 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 1.5 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 4g x 4 平行 15ns
M25PX80-VMP6TG0X TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0X TR -
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 ECAD 9396 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド M25PX80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VFQFPN （6x5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 4,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT41J256M8HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-187E：d -
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 ECAD 8478 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 256m x 8 平行 -
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
PC28F256P33B2F TR Micron Technology Inc. PC28F256P33B2F TR -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 64-TBGA PC28F256 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 64-easybga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AIT：G TR -
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 ECAD 8438 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit ドラム 64m x 16 平行 -
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CUCABH3-10Z：a -
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 ECAD 9544 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lbga MT29F512G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
MT46V64M16P-75:A Micron Technology Inc. mt46v64m16p-75：a -
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 ECAD 7052 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） mt46v64m16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 133 MHz 揮発性 1gbit 750 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT40A4G4JC-062E:E Micron Technology Inc. MT40A4G4JC-062E：e -
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x11） ダウンロード 557-MT40A4G4JC-062E：e 廃止 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 4g x 4 ポッド 15ns
RC28F256P30T85A Micron Technology Inc. RC28F256P30T85A -
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 ECAD 3955 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-TBGA RC28F256 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga （10x13） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz 不揮発性 256mbit 85 ns フラッシュ 16m x 16 平行 85ns
MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR -
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 ECAD 8773 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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