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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28F640J3FS-115 ET TR | - |  | 6140 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT41K512M8RH-125：E Tr | - | | 5848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | mtfc4gludm-ait tr | - | | 9788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
 | M25PX80-VMP6TG0X TR | - | | 9396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
 | mt28f008b3vg-9 t | - | | 9056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | MT28F008B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 90 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 90ns | |||
| MT41K512M8RH-125 M：E TR | - | | 2383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 13.75 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | |||
 | MT35XL02GCBA4G12-0SIT TR | - | | 1191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela™-MT35X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | mt35xl02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | xccelaバス | - | |||
 | JR28F064M29EWBA | - | | 7127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | JR28F064M29 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 70ns | |||
 | MT29F2G08ABAEAH4-ITX：e | - | | 3660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53D512M64D4NW-053 WT ES：E TR | - | | 7944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
| MT40A512M16LY-062E IT：e | 8.7500 | | 519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 96-FBGA （7.5x13.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,080 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | |||
| MT51K256M32HF-60 N：B TR | 39.0000 | | 6445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | MT51K256 | sgram -gddr5 | 1.3V〜1.545V | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||||
| MT53E2G64D8TN-046 WT：c | 90.4650 | | 9383 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | -25°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 556-LFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 556-LFBGA（12.4x12.4 | ダウンロード | 557-MT53E2G64D8TN-046WT：c | 1 | 2.133 GHz | 揮発性 | 128GBIT | 3.5 ns | ドラム | 2g x 64 | 平行 | 18ns | |||||||
 | MT41J64M16JT-15E AIT：G TR | - | | 8438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
| MT53D2G32D8QD-062 WT ES：d | - | | 5261 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53D2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 （無制限） | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.6 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | ||||||||
| MT41K1G4RH-107：e | - | | 7299 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | mt41k1g4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 4 | 平行 | - | |||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：C TR | 18.6300 | | 2714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| mt29tzzz8d5jkerl-107 w.95e tr | - | | 1967年年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C | - | - | mt29tzzz8 | フラッシュnand、dram -lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | mt29tzzz8d5jkerl-107w.95etr | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | 不揮発性、揮発性 | 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） | フラッシュ、ラム | 68g x 8 | MMC 、LPDRAM | - | |||
 | MT46V32M16FN-5B：C Tr | - | | 9488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA （10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 （48 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| mtfc64gazaqhd-wt tr | 26.6550 | | 2810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | - | 557-MTFC64GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | EDB1332BDPC-1D-FD | - | | 2567 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 134-VFBGA | EDB1332 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA （10x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,680 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | - | |||
| MT46V64M4BG-5B：GTR | - | | 7880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-FBGA | mt46v64m4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-fbga （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 4 | 平行 | 15ns | ||
| MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR | - | | 5635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-lbga | MT28EW01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lbga（11x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 1gbit | 95 ns | フラッシュ | 128m x 8、64m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
 | MT41K512M8DA-107 AIT：P | 8.8800 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||
 | TE28F640P33T85A | - | | 3551 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | 28F640p33 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 85 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 85ns | ||
 | MT53E1536M32D4DT-046 WT：a | - | | 7093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | MT53E1536 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E1536M32D4DT-046WT：a | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 1.5GX 32 | - | - | |||||
 | MT53E256M32D2DS-046 AUT：B TR | 13.3464 | | 5846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-046AUT：BTR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | ||
 | MT40A1G8SA-062E AAT：e | 10.1250 | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | MT40A1G8SA-062EAAT：e | ear99 | 8542.32.0036 | 1,260 | 1.6 GHz | 揮発性 | 8gbit | 19 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |
| MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR | 18.8100 | | 2899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | MT25TL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| mtfc128gaxathf-wt | 14.0250 | | 3465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTFC128GAXATHF-WT | 1 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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