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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2NP-053 RS WT：C TR 18.6300
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：CTR 2,000
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E TR Micron Technology Inc. mt29tzzz8d5jkerl-107 w.95e tr -
RFQ
 ECAD 1967年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C - - mt29tzzz8 フラッシュnand、dram -lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） mt29tzzz8d5jkerl-107w.95etr 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 不揮発性、揮発性 64GBIT （NAND ）、8GBIT「LPDDR3） フラッシュ、ラム 68g x 8 MMC 、LPDRAM -
MT46V32M16FN-5B:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B：C Tr -
RFQ
 ECAD 9488 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （10x12.5 - ROHS非準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC64GAZAQHD-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-wt tr 26.6550
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC64GAZAQHD-WTTR 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC_5.1 -
EDB1332BDPC-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDPC-1D-FD -
RFQ
 ECAD 2567 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA EDB1332 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,680 533 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 -
MT46V64M4BG-5B:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4BG-5B：GTR -
RFQ
 ECAD 7880 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-FBGA mt46v64m4 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-fbga （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 64m x 4 平行 15ns
MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1HPC-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga MT28EW01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 1gbit 95 ns フラッシュ 128m x 8、64m x 16 平行 60ns
MT41K512M8DA-107 AIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AIT：P 8.8800
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 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
TE28F640P33T85A Micron Technology Inc. TE28F640P33T85A -
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 ECAD 3551 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F640p33 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz 不揮発性 64mbit 85 ns フラッシュ 4m x 16 平行 85ns
MT25TL512HBA8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL512HBA8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,122 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT53E1536M32D4DT-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DT-046 WT：a -
RFQ
 ECAD 7093 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1536 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E1536M32D4DT-046WT：a 廃止 0000.00.0000 1,360 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 1.5GX 32 - -
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 AUT：B TR 13.3464
RFQ
 ECAD 5846 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜125°C 表面マウント 200-WFBGA MT53E256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E256M32D2DS-046AUT：BTR ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT40A1G8SA-062E AAT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AAT：e 10.1250
RFQ
 ECAD 7948 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G8SA-062EAAT：e ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8ESF-0AAT TR 18.8100
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 ECAD 2899 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
MTFC128GAXATHF-WT Micron Technology Inc. mtfc128gaxathf-wt 14.0250
RFQ
 ECAD 3465 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MTFC128GAXATHF-WT 1
MT41K512M8DA-107:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107：P Tr 5.2703
RFQ
 ECAD 9246 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT41K512M8DA-107：PTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 -
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT53D384M32D2DS-046 AIT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT：E TR -
RFQ
 ECAD 3049 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT53D4DDFL-DC TR Micron Technology Inc. mt53d4dddddfl-dc tr -
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 ECAD 7521 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました mt53d4 - 影響を受けていない 0000.00.0000 2,000
MT53B768M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B768M64D8WF-062 WT：d -
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
PC28F512M29EWLB TR Micron Technology Inc. PC28F512M29EWLB TR -
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 ECAD 2888 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga PC28F512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 100ns
MT25QL128ABA8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL128ABA8E12-0SIT 4.3500
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT48LC8M8A2TG-75:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2TG-75：G TR -
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC8M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 133 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 8m x 8 平行 15ns
M29F400BB70N6 Micron Technology Inc. M29F400BB70N6 -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F400 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 70 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 70ns
MT29F128G08CFABBWP-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08CFABBWP-12：b -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 960 83 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT51K128M32HF-60 N:B Micron Technology Inc. MT51K128M32HF-60 N：b -
RFQ
 ECAD 6533 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51K128 sgram -gddr5 - 170-FBGA（12x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 8542.32.0071 1,260 1.5 GHz 揮発性 4gbit ラム 128m x 32 平行 -
NAND16GW3F2AN6E Micron Technology Inc. NAND16GW3F2AN6E -
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） NAND16G フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND16GW3F2AN6E 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 16gbit 25 ns フラッシュ 2g x 8 平行 25ns
MTFC128GAVATTC-AAT Micron Technology Inc. mtfc128gavattc-aat 61.8150
RFQ
 ECAD 4705 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-LFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.4V〜2.7V 153-lfbga（11.5x13 - 557-MTFC128GAVATTC-AAT 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
MT53E384M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-053 AAT：e 15.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E384M32D2DS-053AAT：e ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT48LC4M32B2P-6A:L TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-6A：L TR -
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC4M32B2 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,000 167 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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