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メモリ（10402）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT ES：C TR -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
MT53D512M32D2NP-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-062 WT ES：D TR -
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT62F768M64D4EJ-031 AUT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EJ-031 AUT：a 118.2000
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ MT62F768 - 影響を受けていない 557-MT62F768M64D4EJ-031AUT：a 1,190
MT41K128M8JP-15E:G Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-15E：g -
RFQ
 ECAD 8871 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,000 667 MHz 揮発性 1gbit 13.5 ns ドラム 128m x 8 平行 -
MT53E1G32D2NP-046 WT:B Micron Technology Inc. MT53E1G32D2NP-046 WT：b 18.6300
RFQ
 ECAD 8248 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT53E1G32D2NP-046WT：b 1,360 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MTFC64GANALAM-WT TR Micron Technology Inc. mtfc64ganalam-wt tr -
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - - mtfc64 - - ROHS3準拠 3 （168 時間） MTFC64GANALAM-WTTR 廃止 0000.00.0000 1,000
N25Q512A13GSFH0E Micron Technology Inc. N25Q512A13GSFH0E -
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 ECAD 1024 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,440 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc8glwdq-3m ait z tr -
RFQ
 ECAD 1216 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT58L128L32F1T-7.5 Micron Technology Inc. MT58L128L32F1T-7.5 2.6800
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT58L128L32 sram-同期 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 113 MHz 揮発性 4mbit 7.5 ns sram 128k x 32 平行 -
MT29E2T08CUHBBM4-3:B Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3：b -
RFQ
 ECAD 9927 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） - - MT29E2T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 平行 -
MT28FW02GBBA1HPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW02GBBA1HPC-0AAT 40.5300
RFQ
 ECAD 2523 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28FW02 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 1,104 不揮発性 2Gbit 105 ns フラッシュ 128m x 16 平行 60ns
MT42L16M32D1LG-25 AAT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1LG-25 AAT：a -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-wfbga MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 168-WFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT53E2G32D8QD-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E2G32D8QD-053 WT：e -
RFQ
 ECAD 5906 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E2G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz 揮発性 64gbit ドラム 2g x 32 - -
MT29C2DBGM-DC TR Micron Technology Inc. mt29c2dbgm-dc tr -
RFQ
 ECAD 8029 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ MT29C2 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT ES：c -
RFQ
 ECAD 9442 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,360 1.6 GHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 - -
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Micron Technology Inc. MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B2 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT （NAND ）、2GBIT「LPDDR2） フラッシュ、ラム 256m x 8 平行 -
MT57W1MH18JF-4 Micron Technology Inc. MT57W1MH18JF-4 25.3300
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA mt57w1mh SRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 4 ns sram 1m x 18 平行 -
MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIYAMR-5 AIT TR -
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MTFC128GAJAEDN-AIT TR Micron Technology Inc. mtfc128gajaedn-ait tr -
RFQ
 ECAD 5872 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E IT：H TR 5.9700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
MTFC8GAMALBH-IT TR Micron Technology Inc. mtfc8gamalbh-it tr -
RFQ
 ECAD 9747 0.00000000 Micron Technology Inc. * テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC8GAMALBH-ITTR 廃止 2,000
EDF8132A3PD-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PD-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 3682 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - EDF8132 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 800 MHz 揮発性 8gbit ドラム 256m x 32 平行 -
M25P80-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TPBA TR 2.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M25P80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 15ms、5ms
MT29F4G16ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABBDAH4-IT：D TR 4.2282
RFQ
 ECAD 1984年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MT42L16M32D1U67MWC2 Micron Technology Inc. MT42L16M32D1U67MWC2 -
RFQ
 ECAD 9867 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行
MT41K256M16V80AWC1 Micron Technology Inc. MT41K256M16V80AWC1 -
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC - - MT41K256M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A Micron Technology Inc. MT42L16M32D1AC-25 AIT：a -
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA MT42L16M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 16m x 32 平行 -
MT29F4G16ABADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G16ABADAH4-IT：d -
RFQ
 ECAD 7699 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 256m x 16 平行 -
MTFC128GAJAECE-AIT Micron Technology Inc. mtfc128gajaece-ait -
RFQ
 ECAD 4236 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-lfbga MTFC128 フラッシュ -ナンド - 169-lfbga - 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT46H16M32LFCX-6:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6：b -
RFQ
 ECAD 1756 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-VFBGA MT46H16M32 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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