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メモリ（10402）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F4G08ABBDAHC-AIT：d | - |  | 8080 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA（10.5x13） | - | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,140 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||||
 | MT29E1HT08ELHBBG1-3ES：B Tr | - | | 3374 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29E1HT08 | フラッシュ -ナンド | 2.5V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 1.5tbit | フラッシュ | 192g x 8 | 平行 | - | ||||
 | mtfc4gludm-ait tr | - | | 9788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 169-TFBGA | mtfc4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 169-TFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | MMC | - | |||||
| MT29F2G08ABAEAH4-ITX：e | - | | 3660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F2G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA （9x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT53D768M64D8WF-053 WT ES：D TR | - | | 5998 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | 1 （無制限） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | - | - | |||||
 | MT46H64M32LFMA-6 WT：B TR | - | | 6820 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -25°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 168-wfbga | MT46H64M32 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 168-WFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 5 ns | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns | |||
| MT62F2G32D4DS-023 AIT：b | 58.0650 | | 8547 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM- lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AIT：b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | 平行 | - | ||||||||
| MT62F2G64D8EK-026AAT：B TR | 126.4350 | | 4986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AAT：BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT53B512M64D4PV-053 WT ES：C TR | - | | 6969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -30°C〜85°C （TC） | - | - | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT29F1T08CMCBBJ4-37：b | - | | 9605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 132-VBGA | MT29F1T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 132-VBGA（12x18） | - | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | 平行 | - | ||||
 | MT40A4G4SA-062E PS：F | - | | 3433 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （7.5x11） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 557-MT40A4G4SA-062EPS：f | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,260 | 1.5 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | 平行 | 15ns | |
 | M25PX80-VMP6TG0X TR | - | | 9396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PX80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VFQFPN （6x5） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
| MT41J256M8HX-187E：d | - | | 8478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA （9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.125 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | - | ||
 | MT28F640J3FS-115 XMET TR | - | | 8399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-FBGA | MT28F640J3 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 64mbit | 115 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT53D512M32D2NP-062 WT ES：D TR | - | | 7687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA （10x14.5 | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
 | PC28F256P33B2F TR | - | | 2868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F256 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | |||
 | MT41J64M16JT-15E AIT：G TR | - | | 8438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-FBGA （8x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
 | MT29F512G08CUCABH3-10Z：a | - | | 9544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 100-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 100-lbga（12x18） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | |||
 | mt46v64m16p-75：a | - | | 7052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | mt46v64m16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| MT40A4G4JC-062E：e | - | | 5048 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-FBGA （9x11） | ダウンロード | 557-MT40A4G4JC-062E：e | 廃止 | 1 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | 19 ns | ドラム | 4g x 4 | ポッド | 15ns | ||||||
| RC28F256P30T85A | - | | 3955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-easybga （10x13） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||
| MT25QL128ABB1EW7-CAUT TR | - | | 8773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||
| MT53D512M64D4NZ-046 WT：e | 49.0500 | | 1682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA（14x14） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT49H32M18SJ-25：B TR | - | | 5267 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 144-TFBGA | MT49H32M18 | ドラム | 1.7V〜1.9V | 144-FBGA（18.5x11） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
| MT53E1G32D2NP-053 RS WT：C TR | 18.6300 | | 2714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT53E1G32D2NP-053RSWT：CTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08CUCBBK9-37ES：b | - | | 6358 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | - | - | MT29F2T08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | - | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 267 MHz | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | 平行 | - | |||
 | MT48LC16M8A2P-75：g | - | | 5816 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | MT48LC16M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2（1 年） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | 15ns | ||
 | MT25QL256BBB8E12-CAUT TR | 8.0700 | | 6731 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | - | 557-MT25QL256BBB8E12-CAUTTR | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 5 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 1.8ms | |||||||
| MT51J256M32HF-70：B Tr | - | | 3063 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 170-TFBGA | MT51J256 | sgram -gddr5 | 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V | 170-FBGA（12x14） | ダウンロード | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.75 GHz | 揮発性 | 8gbit | ラム | 256m x 32 | 平行 | - | ||||
| M50FLW040AN5G | - | | 9621 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -20°C〜85°C（Ta） | 表面マウント | 40-tfsop （0.724 "、18.40mm | M50FLW040 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 40-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 250 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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